IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (106)

STMicroelectronics STM32WB09KE | Demoboard NUCLEO-WB09KE

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1.0

Beschreibung

NUCLEO-WB09KE is a Bluetooth® Low Energy wireless and ultra-low-power board embedding a powerful and ultra-low-power radio compliant with the Bluetooth® Low Energy SIG specification v5.4.The ARDUINO® Uno V3 connectivity support and the ST morpho headers allow the easy expansion of the functionality of the STM32 Nucleo open development platform with a wide choice of specialized shields.

Eigenschaften

Ultra-low-power wireless STM32WB09KE microcontroller based on the Arm® Cortex®‑M0+ core, featuring 512 Kbytes of flash memory and 64 Kbytes of SRAM in a VFQFPN32 packageMCU RF board (MB2032):2.4 GHz RF transceiver supporting Bluetooth® specification v5.4Built‑in PCB antennaThree user LEDsThree user and one reset push-buttonsBoard connectors:USB Type-C®ARDUINO® Uno V3 expansion connectorST morpho headers for full access to all STM32 I/OsFlexible power-supply options: ST-LINK USB VBUS or external sourcesOn-board STLINK-V3EC debugger/programmer with USB re-enumeration capability: mass storage, Virtual COM port, and debug portComprehensive free software libraries and examples available with the STM32CubeWB0 MCU PackageSupport of a wide choice of Integrated Development Environments (IDEs) including IAR Embedded Workbench®, MDK-ARM, and STM32CubeIDE

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(mA)
RDC(mΩ)
Typ
H(mm)
B(mm)
L(µH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max.(mΩ)
IR(mA)
fres(MHz)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 600 mA, 900 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2900 mA
Sättigungsstrom120 mA
Gleichstromwiderstand300 mΩ
TypLow RDC 
Höhe1.25 mm
Breite1.2 mm
Induktivität10 µH
Induktivität±20% 
Induktivität1 MHz/ 5 mA 
Gleichstromwiderstand375 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
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SPECWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität, –, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Höhe0.5 mm
Breite0.5 mm
Induktivität0.022 µH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand580 mΩ
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
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