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Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4-18 V |
| Ausgang 1 | 18 V / 3 A |
| IC-Revision | 7.0 |
Beschreibung
The ST1S40 is an internally compensated 850 kHz fixed-frequency PWM synchronous step-down regulator. ST1S40 operates from 4.0 V to 18 V input, while it regulates an output voltage as low as 0.8 V and up to VIN.The ST1S40 integrates a 95 mΩ high side switch and 69 mΩ synchronous rectifier allowing very high efficiency with very low output voltages.The peak current mode control with internal compensation delivers a very compact solution with a minimum component count.The ST1S40 is available in VFQFPN 4 mm x 4 mm 8 lead package, HSOP-8 and standard SO-8 package.
Eigenschaften
- 3 A DC output current
- 4.0 V to 18 V input voltage
- Output voltage adjustable from 0.8 V
- 850 kHz switching frequency
- Internal soft-start
- Integrated 95 mΩ and 69 mΩ Power MOSFETs
- All ceramic capacitor
- Enable
- Cycle-by-cycle current limiting
- Current fold back short-circuit protection
- Available in HSOP-8, VFQFPN4x4-8L, and SO8 packages
Typische Anwendungen
- mP/ASIC/DSP/FPGA core and I/O supplies
- Audio/graphic cards, Optical storage, hard disk drive, printers, Point of load for: STB, TVs, DVD
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | RDC max.(mΩ) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom16.3 A | Gleichstromwiderstand8.91 mΩ | Bauform1335 | VersionSMT | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand8.1 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.7 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom18.3 A | Gleichstromwiderstand5.39 mΩ | Bauform1365 | VersionSMT | Sättigungsstrom 17 A | Sättigungsstrom @ 30%16 A | Gleichstromwiderstand4.9 mΩ | MaterialWE-PERM | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.9 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.9 µH | Nennstrom4.9 A | Sättigungsstrom4.5 A | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand17 mΩ | Bauform8043 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom14.9 A | Gleichstromwiderstand7.59 mΩ | Bauform1365 | VersionSMT | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand7 mΩ | MaterialWE-PERM | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität5 µH | Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom5.5 A | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand22 mΩ | Bauform1038 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
 | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom5 A | Sättigungsstrom5.5 A | Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom7.7 A | Gleichstromwiderstand24 mΩ | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7.2 A | – | – | ||||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom5.6 A | Sättigungsstrom11 A | Eigenresonanzfrequenz15.1 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom8 A | Gleichstromwiderstand21 mΩ | Bauform1280 | VersionPerformance | Sättigungsstrom 111 A | Sättigungsstrom @ 30%11 A | – | – |