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IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignST1S40

STMicroelectronics ST1S40

3 A DC step-down switching regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4-18 V
Ausgang 118 V / 3 A
IC-Revision7.0

Beschreibung

The ST1S40 is an internally compensated 850 kHz fixed-frequency PWM synchronous step-down regulator. ST1S40 operates from 4.0 V to 18 V input, while it regulates an output voltage as low as 0.8 V and up to VIN.The ST1S40 integrates a 95 mΩ high side switch and 69 mΩ synchronous rectifier allowing very high efficiency with very low output voltages.The peak current mode control with internal compensation delivers a very compact solution with a minimum component count.The ST1S40 is available in VFQFPN 4 mm x 4 mm 8 lead package, HSOP-8 and standard SO-8 package.

Eigenschaften

  • 3 A DC output current
  • 4.0 V to 18 V input voltage
  • Output voltage adjustable from 0.8 V
  • 850 kHz switching frequency
  • Internal soft-start
  • Integrated 95 mΩ and 69 mΩ Power MOSFETs
  • All ceramic capacitor
  • Enable
  • Cycle-by-cycle current limiting
  • Current fold back short-circuit protection
  • Available in HSOP-8, VFQFPN4x4-8L, and SO8 packages

Typische Anwendungen

  • mP/ASIC/DSP/FPGA core and I/O supplies
  • Audio/graphic cards, Optical storage, hard disk drive, printers, Point of load for: STB, TVs, DVD

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744313330
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, –

Anstehende PCN

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–
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Status
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iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.3 µH
–
–
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom16.3 A
Gleichstromwiderstand8.91 mΩ
Bauform1335 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand8.1 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit400 
–Verfügbarkeit prüfen
7443551370
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.7 µH
–
–
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom18.3 A
Gleichstromwiderstand5.39 mΩ
Bauform1365 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Gleichstromwiderstand4.9 mΩ
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
–Verfügbarkeit prüfen
744071039
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.9 µH, 4.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.9 µH
Nennstrom4.9 A
Sättigungsstrom4.5 A
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
–
Gleichstromwiderstand17 mΩ
Bauform8043 
VersionSMT 
–
–
–
–
Verpackungseinheit300 
–Verfügbarkeit prüfen
7443551470
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.7 µH
–
–
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom14.9 A
Gleichstromwiderstand7.59 mΩ
Bauform1365 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand7 mΩ
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
–Verfügbarkeit prüfen
744066005
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5 µH, 5.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität5 µH
Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom5.5 A
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT 
–
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Bauform1038 
VersionSMT 
–
–
–
–
Verpackungseinheit800 
–Verfügbarkeit prüfen
74477110
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität10 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom5.5 A
Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom7.7 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
–
–
Verpackungseinheit500 
–Verfügbarkeit prüfen
7447707100
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität10 µH
Nennstrom5.6 A
Sättigungsstrom11 A
Eigenresonanzfrequenz15.1 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom8 A
Gleichstromwiderstand21 mΩ
Bauform1280 
VersionPerformance 
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen