IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics R5974D

Up to 2.5 A step-down switching regulator for aerospace applications

Details

TopologieSonstige Topologie
Schaltfrequenz212-280 kHz
IC-Revision1

Beschreibung

The R5974D is a step-down monolithic power switching regulator with a minimum switch current limit of 3.1 A, so it is able to deliver up to 2.5 A DCcurrent to the load depending on the application conditions. The output voltage can be set from 1.235 V to 35 V. The high current level is alsoachieved thanks to an HSOP8 package with an exposed frame, that allows to reduce the Rth(JA) down to approximately 40 °C/W. The device usesan internal P-channel DMOS transistor (with a typical RDS(on) of 250 mΩ) as a switching element to minimize the size of the external components. An internal oscillator fixes the switching frequency at 250 kHz. The largeambient temperature range makes it ideal for aerospace and defense applications. A pulse-bypulse current limit with the internal frequencymodulation offers an effective constant current short-circuit protection.

Eigenschaften

  • General features
  • 2.5 A DC output current
  • Operating input voltage from 4 V to 36 V
  • 3.3 V / (± 2%) reference voltage
  • Large ambient temperature range:40 °C to 125 °C
  • Output voltage adjustable from 1.235 V to 35 V
  • Low dropout operation: 100% duty cycle
  • 250 kHz internally fixed frequency
  • Voltage feed-forward
  • Zero load current operation
  • Internal current limiting
  • Inhibit for zero current consumption
  • Synchronization
  • Protection against feedback disconnection
  • Thermal shutdown
  • Aerospace and defense features
  • Suitable for use in aerospace and defense applications
  • Dedicated traceability and part marking
  • Production parts approval documents available
  • Adapted extended life time andobsolescence management
  • Extended product change notification process
  • Designed and manufactured to meet subppm quality goals
  • Advanced mold and frame designs for superior resilience in harsh environments (acceleration, EMI, thermal, humidity)
  • Extended screening capability on request

Remarks:

  • For Inductor value 15uH, general values of O/P vlotage, O/P current is taken

Typische Anwendungen

  • Dedicated to aerospace applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 0.75 µH, 19.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.75 µH
Performance Nennstrom19.5 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%35 A
Nennstrom17 A
WE-PD Speicherdrossel, 4.7 µH, 11 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom11 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz31.2 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%14.3 A
Nennstrom9.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.1 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.1 µH
Performance Nennstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12.2 A
Nennstrom8.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom7.7 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
Nennstrom5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 7.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Performance Nennstrom7.4 A
Sättigungsstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz19.7 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.9 A
Sättigungsstrom @ 30%6.4 A
Nennstrom4.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.8 A
Nennstrom4.2 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Performance Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom4.2 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom @ 30%5.5 A
Nennstrom4 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom6 A
Sättigungsstrom3.7 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.7 A
Sättigungsstrom @ 30%4.8 A
Nennstrom3.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Performance Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%4.5 A
Nennstrom3.3 A