| Topologie | Sonstige Topologie |
| Schaltfrequenz | 212-280 kHz |
| IC-Revision | 1 |
The R5974D is a step-down monolithic power switching regulator with a minimum switch current limit of 3.1 A, so it is able to deliver up to 2.5 A DCcurrent to the load depending on the application conditions. The output voltage can be set from 1.235 V to 35 V. The high current level is alsoachieved thanks to an HSOP8 package with an exposed frame, that allows to reduce the Rth(JA) down to approximately 40 °C/W. The device usesan internal P-channel DMOS transistor (with a typical RDS(on) of 250 mΩ) as a switching element to minimize the size of the external components. An internal oscillator fixes the switching frequency at 250 kHz. The largeambient temperature range makes it ideal for aerospace and defense applications. A pulse-bypulse current limit with the internal frequencymodulation offers an effective constant current short-circuit protection.
Remarks:
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | IR,40K(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 0.75 µH, 19.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.75 µH | Performance Nennstrom19.5 A | – | Gleichstromwiderstand5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz110 MHz | Bauform1280 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 127 A | Sättigungsstrom @ 30%35 A | Nennstrom17 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 4.7 µH, 11 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom11 A | – | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Eigenresonanzfrequenz31.2 MHz | Bauform1280 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 111 A | Sättigungsstrom @ 30%14.3 A | Nennstrom9.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.1 µH, 9.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.1 µH | Performance Nennstrom9.5 A | – | Gleichstromwiderstand14 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Bauform1280 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 19.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12.2 A | Nennstrom8.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom7.7 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand24 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7.2 A | Nennstrom5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 7.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität12 µH | Performance Nennstrom7.4 A | Sättigungsstrom4.9 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz19.7 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.9 A | Sättigungsstrom @ 30%6.4 A | Nennstrom4.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.8 A | Nennstrom4.2 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 6.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität18 µH | Performance Nennstrom6.7 A | Sättigungsstrom4.2 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.2 A | Sättigungsstrom @ 30%5.5 A | Nennstrom4 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom6 A | Sättigungsstrom3.7 A | Gleichstromwiderstand36 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13.7 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Nennstrom3.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität27 µH | Performance Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom3.5 A | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Eigenresonanzfrequenz12 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13.5 A | Sättigungsstrom @ 30%4.5 A | Nennstrom3.3 A |