IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics R5974AD

Up to 2 A step-down switching regulator for aerospace applications

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1

Beschreibung

The R5974AD is a step-down monolithic powerswitching regulator with a minimum switch currentlimit of 2.5 A, it is therefore able to deliver up to2 A DC current to the load depending on theapplication conditions. The output voltage can beset from 1.235 V to 35 V. The high current level isalso achieved thanks to a HSOP8 package withexposed frame, that allows to reduce the RTHJ-Adown to approximately 40 °C/W. The device usesan internal P-channel DMOS transistor (witha typical RDS(on) of 250 m) as switching elementto minimize the size of the external components.An internal oscillator fixes the switching frequencyat 500 kHz. The large ambient temperature rangemakes it ideal for aerospace and defenseapplications. Pulse-by-pulse current limit with theinternal frequency modulation offers an effectiveconstant current short-circuit protection.

Eigenschaften

General features– 2 A DC output current– Operating input voltage from 4 V to 36 V– 3.3 V / (±2%) reference voltage– Large ambient temperature range:

  • 40 °C to 125 °C– Output voltage adjustable from 1.235 V to35 V– Low dropout operation: 100% duty cycle– 500 kHz internally fixed frequency– Voltage feed-forward– Zero load current operation– Internal current limiting– Inhibit for zero current consumption– Synchronization– Protection against feedback disconnection– Thermal shutdown
  • Aerospace and defense features– Suitable for use in aerospace and defenseapplications– Dedicated traceability and part marking– Production parts approval documentsavailable– Adapted extended life time andobsolescence management– Extended product change notificationprocessDesigned and manufactured to meet sub ppmquality goals– Advanced mold and frame designs forsuperior resilience in harsh environments(acceleration, EMI, thermal, humidity)– Extended screening capability on request

Typische Anwendungen

  • Dedicated to aerospace applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 0.75 µH, 19.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.75 µH
Performance Nennstrom19.5 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%35 A
Nennstrom17 A
WE-PD Speicherdrossel, 4.7 µH, 11 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom11 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz31.2 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%14.3 A
Nennstrom9.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.1 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.1 µH
Performance Nennstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12.2 A
Nennstrom8.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom7.7 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
Nennstrom5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.8 A
Nennstrom4.2 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Performance Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom4.2 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom @ 30%5.5 A
Nennstrom4 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom6 A
Sättigungsstrom3.7 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.7 A
Sättigungsstrom @ 30%4.8 A
Nennstrom3.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Performance Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%4.5 A
Nennstrom3.3 A