| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-28 V |
| Schaltfrequenz | 250-1000 kHz |
| IC-Revision | 6 |
The L7980 device is a step-down switching regulator with a 2.5 A (minimum) current limited embedded Power MOSFET, so it is able to deliver up to 2 A current to the load depending on the application conditions.
The input voltage can range from 4.5 V to 28 V, while the output voltage can be set starting from 0.6 V to VIN.
Requiring a minimum set of external components, the device includes an internal 250 kHz switching frequency oscillator that can be externallyadjusted up to 1 MHz.
The QFN and the HSOP packages with exposed pad allow reducing the RthJA down to 60 °C/W and 40 °C/W respectively.
Remarks
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(mm) | f(mm) | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | IR(A) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 7.3 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Länge7.3 mm | – | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom6.2 A | – | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Bauform7345 | VersionRobust | Nennstrom4.2 A | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 7.3 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Länge7.3 mm | – | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom4.75 A | – | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Bauform7345 | VersionRobust | Nennstrom3.3 A | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 7.3 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Länge7.3 mm | – | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom4.6 A | – | Gleichstromwiderstand32 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | Bauform7345 | VersionRobust | Nennstrom3.16 A | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Länge12 mm | – | Induktivität8.2 µH | Performance Nennstrom8.5 A | Sättigungsstrom6.2 A | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Nennstrom6.2 A | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Länge12 mm | – | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom7.7 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand24 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Nennstrom5 A | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Länge12 mm | – | Induktivität12 µH | Performance Nennstrom7.4 A | Sättigungsstrom4.9 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz19.7 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Nennstrom4.5 A | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Länge12 mm | – | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Nennstrom4.2 A | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 18.54 mm, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD4 SMT-Speicherdrossel | Länge18.54 mm | – | Induktivität22 µH | – | Sättigungsstrom7 A | Gleichstromwiderstand47 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | BauformX | – | Nennstrom3.5 A | MontageartSMT | |||
![]() | WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 18.54 mm, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD4 SMT-Speicherdrossel | Länge18.54 mm | – | Induktivität33 µH | – | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand66 mΩ | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | BauformX | – | Nennstrom3 A | MontageartSMT | |||
![]() | WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 18.54 mm, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD4 SMT-Speicherdrossel | Länge18.54 mm | – | Induktivität47 µH | – | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand86 mΩ | Eigenresonanzfrequenz8.4 MHz | BauformX | – | Nennstrom2.6 A | MontageartSMT | |||
![]() | WA-SNSN Snap-In Keyslot Snap Locking on both ends, 31.7 mm, 3.2 mm | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Länge31.7 mm | Bohrung in Blende3.2 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – |