IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics L7980

2 A step-down switching regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-28 V
Schaltfrequenz250-1000 kHz
IC-Revision6

Beschreibung

The L7980 device is a step-down switching regulator with a 2.5 A (minimum) current limited embedded Power MOSFET, so it is able to deliver up to 2 A current to the load depending on the application conditions.

The input voltage can range from 4.5 V to 28 V, while the output voltage can be set starting from 0.6 V to VIN.

Requiring a minimum set of external components, the device includes an internal 250 kHz switching frequency oscillator that can be externallyadjusted up to 1 MHz.

The QFN and the HSOP packages with exposed pad allow reducing the RthJA down to 60 °C/W and 40 °C/W respectively.

Eigenschaften

  • 2 A DC output current
  • 4.5 V to 28 V input voltage
  • Output voltage adjustable from 0.6 V
  • 250 kHz switching frequency, programmable up to 1 MHz
  • Internal soft-start and enable
  • Low dropout operation: 100% duty cycle
  • Voltage feed-forward
  • Zero load current operation
  • Overcurrent and thermal protection
  • VFQFPN 3 x 3 - 8L and HSOP8 package

Remarks

  • 27uH inductor value is added from design example, refer page number 22
  • Suggested inductor values ranges also given table 7 from page number 17
  • Output current to be taken from general value. i.e 2A
  • Some of the Product and series to be added nearest inductor values rangesREMARKS:-Table 7.inductors

Typische Anwendungen

  • Networking: XDSL, modems, DC-DC modules
  • Consumer:STB, DVD, DVD recorder, car audio, LCD
  • Computer:Optical storage, hard disk drive, printers,
  • LED driving
  • Industrial:PLD, PLA, FPGA, chargers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(mm)
f(mm)
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
IR(A)
Montageart
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 7.3 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge7.3 mm
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.2 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform7345 
VersionRobust 
Nennstrom4.2 A
MontageartSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 7.3 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge7.3 mm
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.75 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Bauform7345 
VersionRobust 
Nennstrom3.3 A
MontageartSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 7.3 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge7.3 mm
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom4.6 A
Gleichstromwiderstand32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Bauform7345 
VersionRobust 
Nennstrom3.16 A
MontageartSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge12 mm
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom8.5 A
Sättigungsstrom6.2 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Nennstrom6.2 A
MontageartSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge12 mm
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom7.7 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Nennstrom5 A
MontageartSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge12 mm
Induktivität12 µH
Performance Nennstrom7.4 A
Sättigungsstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz19.7 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Nennstrom4.5 A
MontageartSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge12 mm
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Nennstrom4.2 A
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 18.54 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge18.54 mm
Induktivität22 µH
Sättigungsstrom7 A
Gleichstromwiderstand47 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
Bauform
Nennstrom3.5 A
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 18.54 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge18.54 mm
Induktivität33 µH
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand66 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
Bauform
Nennstrom3 A
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 18.54 mm, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge18.54 mm
Induktivität47 µH
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand86 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8.4 MHz
Bauform
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
WA-SNSN Snap-In Keyslot Snap Locking on both ends, 31.7 mm, 3.2 mm
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge31.7 mm
Bohrung in Blende3.2 mm