| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4-36 V |
| IC-Revision | 2 |
The A5974D is a step-down monolithic power switching regulator with a minimum switch current limit of 3.1 A, so it is able to deliver up to 2.5 A DCcurrent to the load depending on the application conditions. The output voltage can be set from 1.235 V to 35 V. The high current level is alsoachieved thanks to an HSOP8 package with an exposed frame, that allows to reduce the Rth(JA) down to approximately 40 °C/W. The device usesan internal P-channel DMOS transistor (with a typical RDS(on) of 250 m) as a switching element to minimize the size of the external components. An internal oscillator fixes the switching frequency at 250 kHz. Having a minimum input voltage of 4 V only it fits the automotive applications requiring the device operation even in cold crank conditions. A pulseby-pulse current limit with the internal frequency modulation offers an effective constant current short-circuit protection.
Qualified following the AEC-Q100requirements (see PPAP for more details)
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | IR,40K(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 0.75 µH, 19.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.75 µH | Performance Nennstrom19.5 A | – | Gleichstromwiderstand5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz110 MHz | Bauform1280 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 127 A | Sättigungsstrom @ 30%35 A | Nennstrom17 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 4.7 µH, 11 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom11 A | – | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Eigenresonanzfrequenz31.2 MHz | Bauform1280 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 111 A | Sättigungsstrom @ 30%14.3 A | Nennstrom9.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.1 µH, 9.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.1 µH | Performance Nennstrom9.5 A | – | Gleichstromwiderstand14 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Bauform1280 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 19.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12.2 A | Nennstrom8.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom7.7 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand24 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7.2 A | Nennstrom5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.8 A | Nennstrom4.2 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 6.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität18 µH | Performance Nennstrom6.7 A | Sättigungsstrom4.2 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.2 A | Sättigungsstrom @ 30%5.5 A | Nennstrom4 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom6 A | Sättigungsstrom3.7 A | Gleichstromwiderstand36 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13.7 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Nennstrom3.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität27 µH | Performance Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom3.5 A | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Eigenresonanzfrequenz12 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13.5 A | Sättigungsstrom @ 30%4.5 A | Nennstrom3.3 A |