IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics A5974AD

Up to 2 A step down switching regulator for automotive applications

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4-36 V
Schaltfrequenz425-575 kHz
Ausgang 11.23 A
IC-Revision1

Beschreibung

The A5974AD is a step-down monolithic power switching regulator with a minimum switch current limit of 2.5 A, it is therefore able to deliver up to 2 A DC current to the load depending on the application conditions. The output voltage can be set from 1.235 V to 35 V. The high current level is also achieved thanks to a HSOP8 package with exposed frame, that allows to reduce the RTHJ-A down to approximately 40 °C/W. The device uses an internal P-channel DMOS transistor (with a typical RDS(on) of 250 mΩ) as switching element to minimize the size of the external components. An internal oscillator fixes the switching frequency at 500 kHz. Having a minimum input voltage of only 4 V, it fits automotive applications requiring device operation even in cold crank conditions. Pulse-by-pulse current limit with the internal frequency modulation offers an effective constant current short-circuit protection

Eigenschaften

  • Qualified following the AEC-Q100requirements (see PPAP for more details)
  • 2 A DC output current
  • Operating input voltage from 4 V to 36 V
  • 3.3 V / (±2%) reference voltage
  • Output voltage adjustable from 1.235 V to 35 V
  • Low dropout operation: 100% duty cycle
  • 500 kHz internally fixed frequency
  • Voltage feed-forward
  • Zero load current operation
  • Internal current limiting
  • Inhibit for zero current consumption
  • Synchronization
  • Protection against feedback disconnection
  • Thermal shutdownREMARKS:-Table 8. inductor selection

Typische Anwendungen

  • Dedicated to automotive applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 0.75 µH, 19.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.75 µH
Performance Nennstrom19.5 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%35 A
Nennstrom17 A
WE-PD Speicherdrossel, 4.7 µH, 11 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom11 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz31.2 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%14.3 A
Nennstrom9.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.1 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.1 µH
Performance Nennstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12.2 A
Nennstrom8.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom7.7 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
Nennstrom5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 7.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Performance Nennstrom7.4 A
Sättigungsstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz19.7 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.9 A
Sättigungsstrom @ 30%6.4 A
Nennstrom4.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.8 A
Nennstrom4.2 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Performance Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom4.2 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom @ 30%5.5 A
Nennstrom4 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom6 A
Sättigungsstrom3.7 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.7 A
Sättigungsstrom @ 30%4.8 A
Nennstrom3.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Performance Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%4.5 A
Nennstrom3.3 A