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STMicroelectronics A2F12M12W2-F1 | Demoboard STDES-DABBIDIR
25 kW, dual active bridge bidirectional power converter for EV charging and battery energy storage systems
Details
| Topologie | LLC Resonanzwandler |
| Eingangsspannung | 800 V |
| Ausgang 1 | 800 V |
| IC-Revision | 1.0 |
Beschreibung
The STDES-DABBIDIR provides a complete solution for a bidirectional DC-DC power converter.A dual active bridge topology based on an ACEPACK 2 SiC power module is proposed.The STM32G474RE MCU, enabling digital-intensive power control and optimized for mixed-signal applications, is used.Thanks to the latest generation SiC power module and high-frequency operation (100 kHz), high performance and design optimization are reached.Soft switching DAB behavior is managed by adaptive modulation techniques, according to the load/voltage variation.Bidirectional mode operation supports V2G and V2L implementations as well as UPS and battery energy storage applications.
Eigenschaften
- Main power board
- Driver board (1xHV side 2xLV side)
- STM32G474RET3 control board
- Dual active bridge DC-DC power converter:
- Nominal DC input voltage: 800 V
- Nominal DC output voltage: 400 V
- Nominal power: 25 kW
- Switching frequency: 100 kHz
- Peak efficiency: 98.4%
- ACEPACK 2 SiC power module to optimize power section integration and thermal dissipation
- Bidirectional digital power control
- Extended soft switching mode, enabled by sophisticated modulation techniques
- Passive elements weight and size reduction thanks to high frequency SiC MOSFETs operation
- STGAP2SICS galvanic isolated gate driver for SiC
- STM32G474RET3 MCU for full digital solution
- Inrush current control and soft startup
Typische Anwendungen
- Dual Active Bridge Bidirectional power converter, UPS
- battery energy storage
- Power converter for EV charging
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | λDom typ.(nm) | Farbe | λPeak typ.(nm) | IV typ.(mcd) | VF typ.(V) | Chiptechnologie | 2θ50% typ.(°) | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | Q(%) | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | dV/dt(V/µs) | DF @ 1 kHz(%) | IRIPPLE(A) | Pins | Montageart | G(mm) | IR(mA) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(Ω) | Typ | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 525 nm, Grün | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear | dominante Wellenlänge [typ.]525 nm | FarbeGrün | Spitzen-Wellenlänge [typ.]515 nm | Lichtstärke [typ.]450 mcd | Durchlassspannung [typ.]3.2 V | ChiptechnologieInGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | – | – | – | Bauform0805 | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.25 mm | Höhe0.7 mm | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
| WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 625 nm, Rot | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear | dominante Wellenlänge [typ.]625 nm | FarbeRot | Spitzen-Wellenlänge [typ.]630 nm | Lichtstärke [typ.]150 mcd | Durchlassspannung [typ.]2 V | ChiptechnologieAlInGaP | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | – | – | – | Bauform0805 | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.25 mm | Höhe0.7 mm | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.3 mm | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | Nennstrom500 mA | – | Impedanz @ 100 MHz120 Ω | Maximale Impedanz200 Ω | Maximale Impedanz510 MHz | Nennstrom 21350 mA | Gleichstromwiderstand0.3 Ω | TypBreitband | ||||
 | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0805 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.2 mm | Höhe0.9 mm | Pad Dimension0.5 mm | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | Nennstrom4500 mA | – | Impedanz @ 100 MHz22 Ω | Maximale Impedanz40 Ω | Maximale Impedanz1000 MHz | Nennstrom 26000 mA | Gleichstromwiderstand0.008 Ω | TypHochstrom | ||||
| WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC) | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität100 pF | Kapazität±5% | Nennspannung50 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Güte1000 % | – | Isolationswiderstand10 GΩ | KeramiktypNP0 Klasse I | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC) | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität100 nF | Kapazität±10% | Nennspannung16 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | Verlustfaktor3.5 % | Isolationswiderstand5 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC) | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität470 nF | Kapazität±10% | Nennspannung50 V (DC) | Bauform0805 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | Verlustfaktor3 % | Isolationswiderstand1.1 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge2 mm | Breite1.25 mm | Höhe1.25 mm | Pad Dimension0.5 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
 | WR-PHD Stiftleisten, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | Isolationswiderstand500 MΩ | – | Länge6.35 mm | – | – | – | VerpackungKarton | – | – | – | Pins10 | MontageartTHT | – | Nennstrom1000 mA | Arbeitsspannung100 V (AC) | – | – | – | – | – | TypGerade | |||
 | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | Isolationswiderstand1000 MΩ | – | Länge10.16 mm | – | – | – | VerpackungBeutel | – | – | – | Pins4 | MontageartTHT | – | Nennstrom3000 mA | Arbeitsspannung250 V (AC) | – | – | – | – | – | TypGerade | |||
 | WCAP-FTDB DC-Link, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-FTDB DC-Link | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität40 µF | Kapazität±5% | Nennspannung600 V (DC) | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | Isolationswiderstand250 MΩ | – | Länge42 mm | Breite30 mm | Höhe45 mm | – | VerpackungKarton | Spannungsanstiegsgeschwindigkeit30 V/µs | Verlustfaktor0.2 % | Rippelstrom23 A | Pins4 | MontageartTHT | Pin Länge4 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
| WCAP-FTDB DC-Link, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-FTDB DC-Link | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität25 µF | Kapazität±5% | Nennspannung1200 V (DC) | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | Isolationswiderstand400 MΩ | – | Länge42 mm | Breite45 mm | Höhe60 mm | – | VerpackungKarton | Spannungsanstiegsgeschwindigkeit45 V/µs | Verlustfaktor0.13 % | Rippelstrom25.1 A | Pins4 | MontageartTHT | Pin Länge4 mm | – | – | – | – | – | – | – | – |