IC-Hersteller SG-Micro

IC-Hersteller (104)

SG-Micro SGM6611C | Demoboard SGM6611CYTQV11G/TR Demo Board

12.6V, 7A Fully-Integrated Synchronous Boost Converter

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung2.7-12 V
Ausgang 112.6 V
IC-RevisionB

Beschreibung

The SGM6611C is a fully-integrated synchronous Boost converter. The 2.7V to 12V operating input voltage is suitable for single-cell or two-cell Li-Ion/Polymer batteries. This device is capable of providing 7A continuous switch current and an output voltage range of 4.5V to 12.6V.The SGM6611C has two operation modes, the pulse width modulation (PWM) mode and pulse frequency modulation (PFM). The PWM mode is applied at moderate to heavy load. The PFM mode is applied at light load to improve the efficiency. The protection features include output over-voltage protection at 13.2V, cycle-by-cycle over-current protection and thermal shutdown. The device also involves the functions of 4ms built-in soft-start and adjustable switch peak current limit.The SGM6611C is available in a Green TQFN-2×2.5- 11L package.

Eigenschaften

  • 2.7V to 12V Input Voltage Range
  • 4.5V to 12.6V Output Voltage Range
  • Up to 90% Efficiency (VIN = 3.3V, VOUT = 9V and IOUT = 1.5A)
  • Adjustable Peak Current Limit up to 9.5A for High Pulse Current
  • 1.1MHz Fixed Switching Frequency (PWM Mode)
  • 4ms Built-in Soft-Start
  • PFM Operation Mode at Light Load
  • 13.2V Internal Output Over-Voltage Protection
  • Cycle-by-Cycle Over-Current Protection
  • Thermal Shutdown
  • Available in a Green TQFN-2×2.5-11L Package

Typische Anwendungen

  • Fast-Charging Power Bank
  • Bluetooth Speaker
  • Portable POS Machine

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Daten­blatt
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L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 15.75 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom15.75 A
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%24.95 A
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
Verpackungseinheit1000 
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
Gleichstromwiderstand6.05 mΩ
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom13.8 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
Gleichstromwiderstand7.26 mΩ
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 22.1 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Performance Nennstrom22.1 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%18 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
Gleichstromwiderstand3.85 mΩ
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 10.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom10.2 A
Sättigungsstrom 15.6 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand11.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
Gleichstromwiderstand12.54 mΩ
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen