IC-Hersteller ROHM

IC-Hersteller (103)

ROHM BD9G102G

6V to 42V, 0.5A 1ch Simple Buck Converter Integrated FET

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung6-42 V
Ausgang 15 V / 0.5 A
Ausgang 23.3 V / 0.5 A
IC-Revision001

Beschreibung

This is the product guarantees long time support in Industrial market. The BD9G102G-LB is a 42V, 0.5A non-synchronous buck converter with integrated internal high-side 42V Power MOSFET. Operating frequency is 1.0MHz fixed by inner circuit. The components of phase compensation are built in. Additional protection features are included such as Over Current Protection, Thermal Shutdown and Under Voltage Lockout.

Eigenschaften

  • Long Time Support Product for Industrial Applications.
  • Wide Operating Input Range 6V to 42V
  • 45V/800mȍ Internal Power MOSFET
  • 1.0MHz Fixed Operating Frequency
  • Feedback Pin Voltage 0.75V ± 2.0%
  • Accurate EN Threshold 1.8V ± 0.1V
  • Current Mode
  • Internal Compensation
  • Cycle-by-Cycle Over Current Protection(OCP)
  • Under Voltage Locked Out(UVLO), Over Voltage Protection(OVP), Thermal Shut Down(TSD)
  • 0μA Low Shutdown Supply Current

Typische Anwendungen

  • Industrial Equipment, OA Instrument
  • Battery Powered Equipment

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Montageart
RDC max.(Ω)
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Q(%)
Muster
WE-LQ SMT-Induktivität, 15 µH, 0.73 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom0.73 A
Sättigungsstrom1.24 A
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.5 Ω
Güte45 %
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom2.2 A
Gleichstromwiderstand86 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.03 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.03 A
Sättigungsstrom0.75 A
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.03 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.03 A
Sättigungsstrom0.75 A
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom0.75 A
Sättigungsstrom1.35 A
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.43 Ω
VersionSMT 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.6 A
Eigenresonanzfrequenz19 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.245 Ω
VersionSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.374 Ω
Performance Nennstrom1.6 A
Sättigungsstrom 11.35 A
Sättigungsstrom @ 30%2.75 A
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom1.5 A
Gleichstromwiderstand162 mΩ
Eigenresonanzfrequenz31 MHz
MontageartSMT 
WE-LQ SMT-Induktivität, 22 µH, 0.63 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.63 A
Sättigungsstrom1 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.7 Ω
Güte50 %
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.15 A
Sättigungsstrom1.35 A
Gleichstromwiderstand225 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MontageartSMT 
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom1.7 A
Gleichstromwiderstand129 mΩ
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.88 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.88 A
Sättigungsstrom0.6 A
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.925 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.925 A
Sättigungsstrom0.7 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.185 Ω
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.65 A
Sättigungsstrom1.1 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.549 Ω
VersionSMT 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.85 A
Sättigungsstrom1.3 A
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.354 Ω
VersionSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand0.5 Ω
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A