IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (103)

Richtek RTQ2812A | Demoboard DSQ2812A-00

12A, 17V, ACOT® High-Efficiency Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.7-17 V
Ausgang 15.5 V / 12 A
IC-Revision1

Beschreibung

The RTQ2812A is a high-performance, synchronous buck converter that can deliver up to 12A output current with a wide input supply voltage range from 3.5V to 17V. The device integrates low RDSON power MOSFETs, an accurate 0.6V 1% reference over the full operating junction temperature range, and an integrated diode for the bootstrap circuit, offering a very compact solution.

Eigenschaften

  • Wide Input Voltage Range
  • 2.7V to 17V with External 3.3V VCC Bias
  • 3.5V to 17V with Internal VCC Bias
  • Output Voltage from 0.6V to 5.5V
  • 0.6V  0.5% Voltage Reference from 0C to 70 C Junction Temperature Range
  • 0.6V  1% Voltage Reference from −40C to 150 C Junction Temperature Range
  • ACOT® Control for Excellent Transient Performance
  • Stable with Ceramic Output Capacitors
  • Selectable FCCM or PSM Operation at Light Load
  • Selectable Operation Switching Frequency (600KHz/800KHz/1MHz)
  • Non-Latch for OCP, UVP, UVLO, and OTP Faults. Latch-Off for OVP
  • Differential Remote Sense Voltage for High Output Accuracy
  • Power-Good Indicator
  • Enable Control
  • Programmable Soft-Start Time with a Default of 1ms
  • Programmable Valley Current Limit Level
  • Monotonic Start-Up into Pre-Biased Outputs
  • Output Voltage Tracking
  • Small 21T-Lead WQFN (3x4) (FC) Package

Typische Anwendungen

  • Point of Load (POL) Power Modules
  • High Density DC-DC Converters
  • Servers, Storage and Network Equipment, Telecom Infrastructure

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
Montageart
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom31.9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand1.35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz235 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand1.485 mΩ
MontageartSMT 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.68 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 126 A
Sättigungsstrom @ 30%52.2 A
Gleichstromwiderstand1.41 mΩ
Eigenresonanzfrequenz62 MHz
Gleichstromwiderstand1.41 mΩ
Gleichstromwiderstand1.69 mΩ
MontageartSMT 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 30.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom30.25 A
Sättigungsstrom 118.15 A
Sättigungsstrom @ 30%38.15 A
Gleichstromwiderstand2.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
Gleichstromwiderstand2.1 mΩ
Gleichstromwiderstand2.32 mΩ
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Performance Nennstrom32.6 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
Gleichstromwiderstand1.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand1.98 mΩ
MontageartSMT 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.5 µH, 25.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom25.1 A
Sättigungsstrom 115 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Gleichstromwiderstand2.91 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Gleichstromwiderstand2.91 mΩ
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
MontageartSMT