| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.7-17 V |
| Ausgang 1 | 5.5 V / 12 A |
| IC-Revision | 1 |
The RTQ2812A is a high-performance, synchronous buck converter that can deliver up to 12A output current with a wide input supply voltage range from 3.5V to 17V. The device integrates low RDSON power MOSFETs, an accurate 0.6V 1% reference over the full operating junction temperature range, and an integrated diode for the bootstrap circuit, offering a very compact solution.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC typ.(mΩ) | RDC max.(mΩ) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom31.9 A | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%20 A | Gleichstromwiderstand1.35 mΩ | Eigenresonanzfrequenz235 MHz | MaterialSuperflux | – | Gleichstromwiderstand1.485 mΩ | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.68 µH, 38 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität0.68 µH | Performance Nennstrom38 A | Sättigungsstrom 126 A | Sättigungsstrom @ 30%52.2 A | Gleichstromwiderstand1.41 mΩ | Eigenresonanzfrequenz62 MHz | – | Gleichstromwiderstand1.41 mΩ | Gleichstromwiderstand1.69 mΩ | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 30.25 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom30.25 A | Sättigungsstrom 118.15 A | Sättigungsstrom @ 30%38.15 A | Gleichstromwiderstand2.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz53 MHz | – | Gleichstromwiderstand2.1 mΩ | Gleichstromwiderstand2.32 mΩ | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.2 µH | Performance Nennstrom32.6 A | Sättigungsstrom 112 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | MaterialSuperflux | – | Gleichstromwiderstand1.98 mΩ | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.5 µH, 25.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom25.1 A | Sättigungsstrom 115 A | Sättigungsstrom @ 30%32 A | Gleichstromwiderstand2.91 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | – | Gleichstromwiderstand2.91 mΩ | Gleichstromwiderstand3.5 mΩ | MontageartSMT |