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ReferenzdesignRRP68150/RTP100E1P8G1FL-DSC | Demoboard EVB-RTP100E1P8G1FL-DSC

Renesas RRP68150/RTP100E1P8G1FL-DSC | Demoboard EVB-RTP100E1P8G1FL-DSC

RTP100E1P8G1FL-DSC Low Voltage GaN Evaluation Board

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung48 V
Ausgang 112 V / 28 A
IC-Revision1

Beschreibung

The EVB-RTP100E1P8G1FL-DSC evaluation board demonstrates the performance advantages of low-voltage GaN technology in a high-efficiency synchronous buck converter. Featuring two RTP100E1P8G1FL-DSC 100V enhancement-mode (E-mode) gallium nitride (GaN) FETs in a half-bridge configuration and driven by the RRP68150 gate driver, the board provides a compact platform for evaluating high-frequency power conversion designs.The board enables evaluation of switching performance, efficiency, thermal behavior, and power density across a wide range of operating conditions. Integrated test points simplify waveform measurements and power-loss analysis, helping optimize power-stage layouts and demonstrate how low-voltage GaN technology can improve next-generation power conversion systems.

Eigenschaften

Performance testing of low-voltage GaN over a wide range of operating conditionsFlexible and user-friendly buck converter evaluation boardEvaluate system performance using the RRP68150 gate driverHigh-frequency power conversion optimizationConvenient test points for waveform measurementSupports high-efficiency, high-power-density designs

Typische Anwendungen

  • Power supply

Weiterführende Informationen

Von Renesas freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74439370047
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 29.7 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

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Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom29.7 A
Sättigungsstrom @ 30%47.4 A
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
Gleichstromwiderstand3.41 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MontageartSMT 
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