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Renesas ISL81805EVAL4Z
Dual-Phase Negative-to-Positive EVB with -36V to -60V Input Range, 28V 20A Output
Details
| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 36-60 V |
| Ausgang 1 | 28 V / 20 A |
| IC-Revision | 1.00 |
Beschreibung
he ISL81805EVAL4Z dual-phase negative-topositive voltage conversion evaluation board (shown in Figure 4) features the ISL81805: an 80V high voltage, dual synchronous boost controller that offers external soft-start and independent enable functions and integrates UV/OV/OC/OT protection. A programmable switching frequency ranging from 100kHz to 1MHz helps optimize the inductor size as the strong gate driver delivers up to 20A for the total output.
Eigenschaften
- Negative-to-positive voltage conversion
- Wide input range: -36V to -60V
- Programmable soft-start
- Optional DEM/PWM operation
- Optional input/output constant current OCPprotection
- Supports pre-bias output with soft-start
- PGOOD indicator
- OVP, OTP, and UVP protection
Typische Anwendungen
- Telecommunications, Servers and data centers
- Industrial equipment
- Automotive electronics
- Power systems
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Drahttype | MusterVerfügbarkeit & Muster | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 34.95 A Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 132.6 A | Sättigungsstrom @ 30%37 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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