| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.8-5.5 V |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 2.5 A |
| IC-Revision | Rev 0, 03-May-2017 |
This document describes the characteristic and operation of the Active Semi ACT88320EVK1-101 evaluation kit (EVK). It provides setup and operation instructions, schematic, layout, BOM, and test data. This EVK demonstrates the ACT88320QI101 ActivePMU power management IC. Other ACT88320QIxxx options can be evaluated on this EVK by replacing the IC and any other necessary components.
The EVK can be used as a standalone board if desired. However, to access the internal registers and to takefull advantage of the IC’s capability, the user must connect the EVK kit to a PC with Active Semi’s USB-TOI2Cinterface dongle and use the GUI software. The EVK provides full access to the each converter’s inputand output voltage, as well as all the digital control signals. This gives the user the flexibility to configure theEVK to match their real world system.Note that the ACT88320EVK1-101 is specifically configured for the ACT88320QI101. This IC does not usePush-Button.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | Pins | PCB/Kabel/Panel | Modularity | Typ | Wire Section | λDom typ.(nm) | Farbe | λPeak typ.(nm) | IV typ.(mcd) | VF typ.(V) | Chiptechnologie | 2θ50% typ.(°) | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | L(mm) | H(mm) | IR(A) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Betriebstemperatur | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Pins2 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom3.55 A | Sättigungsstrom @ 30%5.3 A | Gleichstromwiderstand63 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Länge2.5 mm | Höhe1 mm | Nennstrom2.5 A | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Pins2 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom10.1 A | Sättigungsstrom @ 30%11.5 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Länge4 mm | Höhe2 mm | Nennstrom7.2 A | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | ||||
![]() | WR-TBL Series 213 - 5.00 mm Horiz.l Entry Modular, 2, Käfigzugklemme | Simulation– | Downloads6 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Pins2 | PCB/Kabel/PanelPCB | ModularityJa | TypHorizontal | Wire Section 26 to 16 (AWG) 0.5 to 1.5 (mm²) | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | Länge10 mm | – | Nennstrom10 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | |||
![]() | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, 3, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | Pins3 | – | – | TypGerade | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | Länge7.62 mm | – | Nennstrom3 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | |||
![]() | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, 4, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | Pins4 | – | – | TypGerade | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | Länge10.16 mm | – | Nennstrom3 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | |||
![]() | WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, –, – | Downloads27 Dateien Strahldaten
| Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear | – | – | – | – | – | dominante Wellenlänge [typ.]470 nm | FarbeBlau | Spitzen-Wellenlänge [typ.]465 nm | Lichtstärke [typ.]145 mcd | Durchlassspannung [typ.]3.2 V | ChiptechnologieInGaN | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | – | – | – | – | – | – | MontageartSMT | Länge1.6 mm | Höhe0.7 mm | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C |