IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (96)

Onsemi NTBG022N120M3S | Demoboard EVB for 1200 V SiC MOSFET M3S in D2PAK-7LD

Evaluation Board for 1200 V SiC MOSFET M3S in D2PAK-7LD showing Benefit of IMS PCB

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung800 V

Beschreibung

This evaluation board supports evaluation of onsemi’s NTBG022N120M3S 22 m 1200 V SiC MOSFET in D2PAK−7LD working together with NCD57084 isolated gate drivers using a printed circuit board using IMS. These products are used in energyinfrastructure applications, such as PV inverters, UPS or EV chargers to improve efficiency and power density compared with IGBT or superjunction MOSFET solutions. This manual describes the board function, board layout and comparison of the IMS PCB thermal properties with the thermal properties of a standard FR4 board. Itincludes details of layout, schematics, and bill of materials.The evaluation board contains four SiC MOSFETs soldered onto an IMS PCB in a full−bridge topology. The gate driver stage consists of four NCD57084 high current galvanically isolated gate drivers. Thedriver provides 3 kV insulation between primary and secondary side. The gate drive voltage is supplied through an isolated DC/DC voltage source using the NCV3064.The evaluation board can be connected to an external controllerproviding PWM inputs and handling fault signals. Use of an externalsensor for over current and over voltage protection is recommended.

Eigenschaften

  • Low Thermal Resistance IMS PCB
  • 4 Isolated Gate Drivers with 3 kV Insulation -On Board NTC for IMS Temperature Sensing
  • Low Inductance PCB Layout
  • Modular Pinout allows Evaluation of Multiple Topologies

Typische Anwendungen

  • Uninterruptible Power Supplies (UPS), Switch Mode Power Supplies (SMPS)
  • Solar Inverters, Energy Storage Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads ProduktserieCTol. CVR
(V (DC))
BauformBetriebstemperaturDF
(%)
RISOKeramiktypW
(mm)
Fl
(mm)
Vin
(V)
VOut1
(V)
VOut2
(V)
VOut3
(V)
Vaux
(V)
PO
(W)
CWW 1
(pF)
L
(µH)
ISAT
(A)
fswitch
(kHz)
nVersionIC-ReferenzPinsRaster
(mm)
GenderTypMontageartL
(mm)
H
(mm)
IR
(A)
Arbeitsspannung
(V (AC))
Kontaktwiderstand
(mΩ)
Tol. RVerpackung Muster
885012206079SPEC
8 Dateien WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC)220 pF ±10% 50 0603 -55 °C up to +125 °C 2.510 GΩ X7R Klasse II 0.8 0.4 1.6 0.8 7" Tape & Reel
61201421621SPEC
7 Dateien WR-BHD 2.54 mm Male Box Header -40 °C up to +105 °C1000 MΩ Low Profile 14 2.54 Männlich Gerade THT 25.44 3 250 20 max. Tray
750319282SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

7 Dateien WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer EP7 -40 °C up to +125 °C 10.95 6 - 18 20 5 5 5 1.5 6.4 42 1.2 150 1.56:3.89:1:1:1 Flyback NCV(P)3064 11.3 11.94
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
885012206079SPEC
61201421621SPEC
750319282SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads ProduktserieCTol. CVR
(V (DC))
BauformBetriebstemperaturDF
(%)
RISOKeramiktypW
(mm)
Fl
(mm)
Vin
(V)
VOut1
(V)
VOut2
(V)
VOut3
(V)
Vaux
(V)
PO
(W)
CWW 1
(pF)
L
(µH)
ISAT
(A)
fswitch
(kHz)
nVersionIC-ReferenzPinsRaster
(mm)
GenderTypMontageartL
(mm)
H
(mm)
IR
(A)
Arbeitsspannung
(V (AC))
Kontaktwiderstand
(mΩ)
Tol. RVerpackung Muster