IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCV8855 | Demoboard NCV8855BMNR2GEVB

Quad-Output Automotive System Power Supply IC with Integrated High-Side 2 A Switch Evaluation Board User's Manual

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung9-18 V
Ausgang 15 V / 2 A
Ausgang 23.3 V / 2 A
Ausgang 38 V / 2 A
IC-Revision1

Beschreibung

The NCV885x is a multiple output controller / regulatorIC with an integrated high-side load switch. The NCV885xwill address automotive radio system and instrument clusterpower supply requirements. In addition to the high-side loadswitch, the NCV885x comprise a switch-mode powersupply (SMPS) buck controller, a 2.5 A SMPS buckregulator, and two low dropout linear regulator controllers(LDO).

Eigenschaften

< 1 A Shutdown Current

  • Meets ES−XW7T−1A278−AB Test Pulse G – Loaded Conditions
  • VIN Operating Range 9.0 to 18.0 V
  • 1 SMPS Controller with Adjustable Current Limit
  • 1 SMPS Regulator with Internal 300 m NMOS Switch
  • 2 LDO Controllers with Current Limit and Short Circuit Protection
  • 1 High−side Load Switch with Internal 300 m NMOS FET
  • Adjustable Output Voltage for All Controllers / Regulators
  • 800 mV, 1% Reference Voltage
  • System Enable Pin
  • Single Enable Pin for Both LDO Controllers
  • Independent Enable for High−side Load Switch
  • Thermal Shutdown with Thermal Warning Indicator
  • This is a Pb−Free Device

Typische Anwendungen

  • Instrument Cluster, Driver Information System (DIS)
  • Automotive Radio

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
Muster
WE-PD Speicherdrossel, 22 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom7 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Nennstrom5.3 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom4.7 A
Gleichstromwiderstand53 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.9 A
Sättigungsstrom @ 30%5.05 A
Nennstrom3.6 A