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ReferenzdesignNCV8855 | Demoboard NCV8855BMNR2GEVB

Onsemi NCV8855 | Demoboard NCV8855BMNR2GEVB

Quad-Output Automotive System Power Supply IC with Integrated High-Side 2 A Switch Evaluation Board User's Manual

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung9-18 V
Ausgang 15 V / 2 A
Ausgang 23.3 V / 2 A
Ausgang 38 V / 2 A
IC-Revision1

Beschreibung

The NCV885x is a multiple output controller / regulatorIC with an integrated high-side load switch. The NCV885xwill address automotive radio system and instrument clusterpower supply requirements. In addition to the high-side loadswitch, the NCV885x comprise a switch-mode powersupply (SMPS) buck controller, a 2.5 A SMPS buckregulator, and two low dropout linear regulator controllers(LDO).

Eigenschaften

< 1 A Shutdown Current

  • Meets ES−XW7T−1A278−AB Test Pulse G – Loaded Conditions
  • VIN Operating Range 9.0 to 18.0 V
  • 1 SMPS Controller with Adjustable Current Limit
  • 1 SMPS Regulator with Internal 300 m NMOS Switch
  • 2 LDO Controllers with Current Limit and Short Circuit Protection
  • 1 High−side Load Switch with Internal 300 m NMOS FET
  • Adjustable Output Voltage for All Controllers / Regulators
  • 800 mV, 1% Reference Voltage
  • System Enable Pin
  • Single Enable Pin for Both LDO Controllers
  • Independent Enable for High−side Load Switch
  • Thermal Shutdown with Thermal Warning Indicator
  • This is a Pb−Free Device

Typische Anwendungen

  • Instrument Cluster, Driver Information System (DIS)
  • Automotive Radio

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7447709220
SPECWE-PD Speicherdrossel, 22 µH, 7 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD Speicherdrossel
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom7 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Nennstrom5.3 A
–Verfügbarkeit prüfen
744770133
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 4.7 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom4.7 A
Gleichstromwiderstand53 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.9 A
Sättigungsstrom @ 30%5.05 A
Nennstrom3.6 A
–Verfügbarkeit prüfen