IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCV57000 | Demoboard SEC-PTC400

PTC IGBT Driver Reference Design

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung200-400 V
Ausgang 1380 V / 40 A
IC-Revision1.0.1

Beschreibung

This document is the entry point to the reference documentation of PTC heater discrete IGBT driver board evaluation platform, version 1.0.1. The evaluation platform is for thermal performance evaluation that provides developers with the tools and test data needed to build applications that drive PTC based on high current isolated driver and IGBT from On Semiconductor. This documentation focuses on the output voltage and current adjustment through high side and low side IGBT, and would help user to setup different variables, such as voltage, to get the wanted current and get the wanted test condition. Finally, it will help customer better understand isolated driver and IGBT performance by tested data and curve.

Eigenschaften

  • 4V to 16V Operating Input Range
  • Wide Output Voltage:
  • I2C Programmable: 0.55V to 5.4V
  • External Resistor Divider: 0.6V to 7V or VIN * DMAX if VIN < 7V
  • Channel 1 and 2: 3A Continuous Current
  • Channel 3 and 4: 2A Continuous Current
  • Interleaved Operation
  • Configurable, Multi-Functional GPIO Pin
  • I2C and Configurable Parameters:
  • Paralleling Channel 1 and 2
  • Paralleling Channel 3 and 4
  • Switching Frequency
  • Output Voltage
  • Over-Current and Over-Voltage Protection Threshold
  • Power-On and Power-Off Sequencing
  • Forced PWM or Auto-PWM/PFM
  • Preset to MPM54304GMN-0000 Configuration

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
VR 2(V (DC))
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
Verpackung
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
fres(MHz)
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
Z(mΩ)
IR(A)
L(µH)
RDC max.(mΩ)
VR(V (DC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
Muster
WCAP-FTBE Folienkondensatoren, 68 nF, 504 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität68 nF
Nennspannung 2504 V (DC)
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit52 V/µs
Verlustfaktor1 %
Isolationswiderstand9 GΩ
Raster10 mm
VerpackungKarton 
Nennspannung630 V (DC)
Länge13 mm
Breite5.5 mm
Höhe11 mm
WCAP-ASLL Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 10 µF, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
Isolationswiderstand10 MΩ
Verpackung15" Tape & Reel 
Endurance 2000
Rippelstrom150 mA
Leckstrom3.5 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser5 mm
Impedanz800 mΩ
Nennspannung35 V (DC)
Länge5.5 mm
Breite5.3 mm
MontageartV-Chip SMT 
WCAP-ASLU Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 10 µF, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
Isolationswiderstand3.33333 MΩ
Verpackung15" Tape & Reel 
Endurance 1000
Rippelstrom23 mA
Leckstrom0.4 µA
Verlustfaktor22 %
Durchmesser4 mm
Nennspannung10 V (DC)
Länge5.5 mm
Breite4.3 mm
MontageartV-Chip SMT 
WCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 22 µF, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
Raster5 mm
VerpackungAmmopack 
Endurance 10000
Rippelstrom632 mA
Leckstrom496 µA
Verlustfaktor20 %
Durchmesser13 mm
Nennspannung450 V (DC)
Länge25 mm
WCAP-ASLU Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 47 µF, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität47 µF
Isolationswiderstand2.12766 MΩ
Verpackung15" Tape & Reel 
Endurance 1000
Rippelstrom75 mA
Leckstrom3.3 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser6.3 mm
Nennspannung35 V (DC)
Länge7.7 mm
Breite6.6 mm
MontageartV-Chip SMT 
WE-CMB NiZn Stromkompensierte Netzdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom10 A
Induktivität16 µH
Gleichstromwiderstand3 mΩ
Nennspannung250 V (DC)
Prüfspannung1500 V (AC)
MaterialNiZn 
Länge18.5 mm
Breite14.5 mm
Höhe22 mm
MontageartTHT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Performance Nennstrom9.1 A
Sättigungsstrom 111.2 A
Sättigungsstrom @ 30%27.6 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Induktivität1.5 µH
Gleichstromwiderstand15 mΩ
Länge7.3 mm
Breite6.6 mm
Höhe2.8 mm
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Performance Nennstrom12.8 A
Sättigungsstrom 113.3 A
Sättigungsstrom @ 30%30.9 A
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand11 mΩ
Länge13.5 mm
Breite12.6 mm
Höhe3.3 mm
MontageartSMT