IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (108)

Onsemi NCV57000 | Demoboard SEC-PTC400

PTC IGBT Driver Reference Design

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung200-400 V
Ausgang 1380 V / 40 A
IC-Revision1.0.1

Beschreibung

This document is the entry point to the reference documentation of PTC heater discrete IGBT driver board evaluation platform, version 1.0.1. The evaluation platform is for thermal performance evaluation that provides developers with the tools and test data needed to build applications that drive PTC based on high current isolated driver and IGBT from On Semiconductor. This documentation focuses on the output voltage and current adjustment through high side and low side IGBT, and would help user to setup different variables, such as voltage, to get the wanted current and get the wanted test condition. Finally, it will help customer better understand isolated driver and IGBT performance by tested data and curve.

Eigenschaften

  • 4V to 16V Operating Input Range
  • Wide Output Voltage:
  • I2C Programmable: 0.55V to 5.4V
  • External Resistor Divider: 0.6V to 7V or VIN * DMAX if VIN < 7V
  • Channel 1 and 2: 3A Continuous Current
  • Channel 3 and 4: 2A Continuous Current
  • Interleaved Operation
  • Configurable, Multi-Functional GPIO Pin
  • I2C and Configurable Parameters:
  • Paralleling Channel 1 and 2
  • Paralleling Channel 3 and 4
  • Switching Frequency
  • Output Voltage
  • Over-Current and Over-Voltage Protection Threshold
  • Power-On and Power-Off Sequencing
  • Forced PWM or Auto-PWM/PFM
  • Preset to MPM54304GMN-0000 Configuration

Weiterführende Informationen

Von Onsemi freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
VR 2(V (DC))
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
Verpackung
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
fres(MHz)
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
Z(mΩ)
IR(A)
L(µH)
RDC max.(mΩ)
VR(V (DC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWCAP-FTBE Folienkondensatoren, 68 nF, 504 V (DC)
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität68 nF
Nennspannung 2504 V (DC)
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit52 V/µs
Verlustfaktor1 %
Isolationswiderstand9 GΩ
Raster10 mm
VerpackungKarton 
–
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–
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–
–
–
–
–
–
Nennspannung630 V (DC)
–
–
Länge13 mm
Breite5.5 mm
Höhe11 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWCAP-ASLL Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 10 µF, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
–
–
–
Isolationswiderstand10 MΩ
–
Verpackung15" Tape & Reel 
–
–
–
–
Endurance 2000
Rippelstrom150 mA
Leckstrom3.5 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser5 mm
Impedanz800 mΩ
–
–
–
Nennspannung35 V (DC)
–
–
Länge5.5 mm
Breite5.3 mm
–
MontageartV-Chip SMT 
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWCAP-ASLU Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 10 µF, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
–
–
–
Isolationswiderstand3.33333 MΩ
–
Verpackung15" Tape & Reel 
–
–
–
–
Endurance 1000
Rippelstrom23 mA
Leckstrom0.4 µA
Verlustfaktor22 %
Durchmesser4 mm
–
–
–
–
Nennspannung10 V (DC)
–
–
Länge5.5 mm
Breite4.3 mm
–
MontageartV-Chip SMT 
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 22 µF, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
–
–
–
–
Raster5 mm
VerpackungAmmopack 
–
–
–
–
Endurance 10000
Rippelstrom632 mA
Leckstrom496 µA
Verlustfaktor20 %
Durchmesser13 mm
–
–
–
–
Nennspannung450 V (DC)
–
–
Länge25 mm
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWCAP-ASLU Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 47 µF, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität47 µF
–
–
–
Isolationswiderstand2.12766 MΩ
–
Verpackung15" Tape & Reel 
–
–
–
–
Endurance 1000
Rippelstrom75 mA
Leckstrom3.3 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser6.3 mm
–
–
–
–
Nennspannung35 V (DC)
–
–
Länge7.7 mm
Breite6.6 mm
–
MontageartV-Chip SMT 
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-CMB NiZn Stromkompensierte Netzdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
–
–
–
–
–
–
–
–
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–
–
–
–
–
–
Nennstrom10 A
Induktivität16 µH
Gleichstromwiderstand3 mΩ
Nennspannung250 V (DC)
Prüfspannung1500 V (AC)
MaterialNiZn 
Länge18.5 mm
Breite14.5 mm
Höhe22 mm
MontageartTHT 
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
–
–
–
–
–
–
–
Performance Nennstrom9.1 A
Sättigungsstrom 111.2 A
Sättigungsstrom @ 30%27.6 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
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–
–
–
Induktivität1.5 µH
Gleichstromwiderstand15 mΩ
–
–
–
Länge7.3 mm
Breite6.6 mm
Höhe2.8 mm
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
–
–
–
–
–
–
–
Performance Nennstrom12.8 A
Sättigungsstrom 113.3 A
Sättigungsstrom @ 30%30.9 A
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
–
–
–
–
–
–
–
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand11 mΩ
–
–
–
Länge13.5 mm
Breite12.6 mm
Höhe3.3 mm
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen