IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCP5181 | Demoboard NCP5181BAL36WEVB

NCP5181 36 W Ballast Evaluation Board User's Manual

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung184-265 V
IC-Revision1

Beschreibung

This document describes how the NCP5181 driver can beimplemented in a ballast application. The scope of thisevaluation board user’s manual is to highlight the NCP5181driver and not to explain or detail how to build an electronicballast.The NCP5181 is a high voltage power MOSFET driverproviding two outputs for direct drive of two N-channelpower MOSFETs arranged in a half-bridge (or any otherhigh-side + low-side topology) configuration.It uses the bootstrap technique to ensure a proper drive ofthe high-side power switch. The driver works with twoindependent inputs to accommodate with any topology(including half-bridge, asymmetrical half-bridge, activeclamp and full-bridge).

Typische Anwendungen

  • Full−bridge Converters
  • Any Complementary Drive Converters (asymmetrical half−bridge,active clamp)
  • High Power Energy Management
  • Half−bridge Power Converters
  • Bridge Inverters for UPS Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
VR(V (AC))
Sicherheitsklasse
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Verpackung
IR(A)
RDC max.(Ω)
Q(%)
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
IRIPPLE 2(mA)
RESR(mΩ)
L1(µH)
L2(µH)
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT 1(A)
RDC1 typ(Ω)
RDC2 typ(Ω)
RDC1 max(Ω)
RDC2 max(Ω)
fres(MHz)
Typ
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
VOut2(V)
IOut2(A)
VOut3(V)
IOut3(A)
VOut4(V)
IOut4(A)
L(µH)
n
ISAT(A)
LS(µH)
VT(V (AC))
Bauform
IC-Referenz
Muster
WCAP-FTXX Folienkondensatoren, Across the mains, 1 µF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Nennspannung310 V (AC)
SicherheitsklasseX2 
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit170 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand10 GΩ
Raster22.5 mm
Länge26 mm
Breite11 mm
Höhe20 mm
VerpackungKarton 
BauformRaster 22.5 mm 
WE-LQ SMT-Induktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge4.5 mm
Breite3.2 mm
Höhe2.6 mm
Nennstrom1.24 A
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Güte36 %
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom2 A
Bauform1812 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge12.5 mm
Breite12.5 mm
Höhe6.5 mm
Nennstrom4.91 A
Gleichstromwiderstand0.021 Ω
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Nennstrom 14.91 A
Nennstrom 24.91 A
Sättigungsstrom [1]8.9 A
Gleichstromwiderstand 10.017 Ω
Gleichstromwiderstand 20.017 Ω
Gleichstromwiderstand 10.021 Ω
Gleichstromwiderstand 20.021 Ω
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
TypGerade 
Induktivität3.3 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Sättigungsstrom8.9 A
Bauform1260 
WE-FB Sperrwandlerübertrager geeignet für LT3573/ LT3574/ LT3575/ LT3748, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge13.97 mm
Breite17.17 mm
Höhe12.7 mm
Input Voltage 8 - 24 V (DC)
Ausgangsspannung 115 V
Ausgangsstrom 10.15 A
Ausgangsspannung 215 V
Ausgangsstrom 20.15 A
Ausgangsspannung 315 V
Ausgangsstrom 30.15 A
Ausgangsspannung 415 V
Ausgangsstrom 40.15 A
Induktivität3.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1:4:4:4:4 
Sättigungsstrom12 A
Streuinduktivität0.4 µH
Prüfspannung1500 V (AC)
BauformEP13 
IC-ReferenzLT3575 & LT3748 
WCAP-ATG5 Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, 180 µF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität180 µF
Nennspannung400 V (AC)
Raster7.5 mm
Länge45 mm
VerpackungTray 
Endurance 2000
Rippelstrom700 mA
Leckstrom2160 µA
Verlustfaktor15 %
Durchmesser18 mm
WCAP-PTHT Aluminium-Polymer-Kondensatoren, –, 470 µF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität470 µF
Nennspannung16 V (AC)
Raster5 mm
Länge12.5 mm
VerpackungAmmopack 
Endurance 2000
Rippelstrom6100 mA
Leckstrom752 µA
Verlustfaktor10 %
Durchmesser10 mm
Rippelstrom1929 mA
ESR (Serienersatzwiderstand)10 mΩ