| Topologie | Sperrwandler |
| Eingangsspannung | 42.5-57 V |
| Ausgang 1 | 10 V / 2.5 A |
| Ausgang 2 | 5 V / 5 A |
| IC-Revision | 0.0.2 |
GreenBridge™ FDMQ8205 evaluation board highlights the polarity protection bridge at input of PoE (Power over Ethernet) PD (Power device) so that the input will be insensitive to the polarity of a power source coupled to the device. The device itself may be sensitive to the polarity of the power source, but bridge rectifier can be configured to provide the proper polarity to the device when the polarity of the power source is reversed. GreenBridge replaces the conventional diode bridge to reduce the power dissipation caused by the large voltage drop of a diode bridge, resulting in a high efficiency power device while not compromising IEEE802.3af/at. The small package size of MLP4.5x5 reduces PCB area and increases power density
Active MOSFET bridge with low forward drop to replace conventional diode bridge IEEE802.3af/at compliant
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Datenrate | PoE | Ports | Tab | Improved CMRR | Betriebstemperatur | LED | PHY-Chipmodus | Montageart | Shield Tabs | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.33 µH, 17.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität0.33 µH | Performance Nennstrom17.8 A | Sättigungsstrom 127.1 A | Sättigungsstrom @ 30%47 A | Gleichstromwiderstand3.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz124 MHz | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 4.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Performance Nennstrom4.45 A | Sättigungsstrom 15.45 A | Sättigungsstrom @ 30%10.6 A | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
![]() | WE-RJ45 LAN Übertrager, 350 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-RJ45 LAN Übertrager | Induktivität350 µH | – | – | – | – | – | Datenrate1000BASE-T | PoEPoE+ | Ports1 | Tab PositionOben | Verbesserte Common Mode EntstörungJa | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | LED (Links-Rechts)grün/orange-gelb | PHY-Chipmoduscurrent & voltage | MontageartTHT | Shield TabsJa |