IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi FDMQ8205 | Demoboard FEBFDMQ8205_25.5W

GreenBridge for Power Over ethernet

Details

TopologieSperrwandler
Eingangsspannung42.5-57 V
Ausgang 110 V / 2.5 A
Ausgang 25 V / 5 A
IC-Revision0.0.2

Beschreibung

GreenBridge™ FDMQ8205 evaluation board highlights the polarity protection bridge at input of PoE (Power over Ethernet) PD (Power device) so that the input will be insensitive to the polarity of a power source coupled to the device. The device itself may be sensitive to the polarity of the power source, but bridge rectifier can be configured to provide the proper polarity to the device when the polarity of the power source is reversed. GreenBridge replaces the conventional diode bridge to reduce the power dissipation caused by the large voltage drop of a diode bridge, resulting in a high efficiency power device while not compromising IEEE802.3af/at. The small package size of MLP4.5x5 reduces PCB area and increases power density

Eigenschaften

Active MOSFET bridge with low forward drop to replace conventional diode bridge IEEE802.3af/at compliant

  • . Not compromise PoE detection and classification
  • . Works with 2 and 4-pair architecture Enhanced thermal performance package of 4x4.5mm MLP Wide operating voltage range up to 70V

Typische Anwendungen

  • Power over Ethernet (PoE) Power device (PD)

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Datenrate
PoE
Ports
Tab
Improved CMRR
Betriebstemperatur
LED
PHY-Chipmodus
Montageart
Shield Tabs
Muster
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.33 µH, 17.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Performance Nennstrom17.8 A
Sättigungsstrom 127.1 A
Sättigungsstrom @ 30%47 A
Gleichstromwiderstand3.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz124 MHz
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 4.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom4.45 A
Sättigungsstrom 15.45 A
Sättigungsstrom @ 30%10.6 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-RJ45 LAN Übertrager, 350 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität350 µH
Datenrate1000BASE-T 
PoEPoE+ 
Ports
Tab PositionOben 
Verbesserte Common Mode EntstörungJa 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
LED (Links-Rechts)grün/orange-gelb 
PHY-Chipmoduscurrent & voltage 
MontageartTHT 
Shield TabsJa