IC-Hersteller Onsemi
IC-Hersteller (103)
- Alle Hersteller
Analog Devices
Infineon Technologies
Microchip
Onsemi
Renesas
ROHM
STMicroelectronics
Texas Instruments
- 3peak incorporated (28)
- Ablic (23)
- Acco Semiconductor (1)
- Advanced Power (4)
- Allegro Microsystems (100)
- Alpha & Omega Semiconductor (37)
- AnalogySemi (3)
- AnDAPT Inc (204)
- Anpec (13)
- AXElite (2)
- Backward (6)
- Bright Power Semiconductor (1)
- Broadcom (46)
- Cambridge GaN Devices (18)
- Chipanalog Micro (10)
- Cologne Chips (1)
- Convenient Power (1)
- Dialog Semiconductor (12)
- Diodes Incorporated (259)
- Divimath (8)
- Elmos AG (1)
- EPC (140)
- e-Peas Semiconductors (1)
- Eta Solutions Co. Ltd. (9)
- GaN Systems (8)
- GaNPower (3)
- Giantec (1)
- Gstek Wuxi (1)
- Helix Semiconductor (7)
- IKON (1)
- Indie Semiconductor (8)
- Innovision Semiconductor Inc (2)
- Intel (68)
- Inventchip Technology (3)
- ISSI (51)
- JoulWatt (20)
- KDPOF (3)
- Kinetic Technology (8)
- Lattice semiconductor Corporation (38)
- Littelfuse (1)
- Lumissil Microsystems (8)
- M3 Technology (M3Tek) (7)
- Macnica (22)
- Marvell Semiconductor (1)
- MaxLinear (181)
- Menlo Micro (1)
- MikroE (25)
- MindCet (2)
- Monolithic Power Systems (980)
- Navitas Semiconductor Inc (6)
- NewEdge Technologies, Inc. (1)
- Nexperia (267)
- Nisshinbo Micro Device Inc. (10)
- Novosense Micro (1)
- NXP (336)
- O2 Micro International Ltd (10)
- On Bright (7)
- Panasonic (2)
- PN Junction Semiconductor (2)
- Power Integrations (117)
- Powermat (1)
- Pulsiv (19)
- Qorvo (97)
- Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics (1)
- Richtek (297)
- Sanken Electric Co., Ltd. (16)
- Sckipio (6)
- Semtech (86)
- SG-Micro (57)
- SiFive (2)
- Silanna Semiconductor (9)
- Silergy Corporation (33)
- Silicon Laboratory Inc. (108)
- Silicontent Technology (59)
- Silvertel (59)
- Skycore Semiconductors (1)
- Skyworks (33)
- Southchip (14)
- Summit Wireless (1)
- Tagore Tech (7)
- Taiwan Semiconductor (1)
- TDK Corporation (1)
- Tempo Semiconductor (1)
- Torex (37)
- Toshiba (25)
- Transphorm (21)
- TransSIP (2)
- Union (21)
- uPI Semiconductor (2)
- Valens Semiconductor (31)
- Wise Integration (3)
- Wolfspeed (23)
- Xilinx (22)
- XL Semiconductor (3)
- XYSemi (62)
Details
| Topologie | Leistungsfaktor-Korrektur |
| Eingangsspannung | 90-265 V |
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | ISAT(A) | fres(MHz) | Bauform | Version | IR(A) | L(mH) | RDC max.(mΩ) | VR(V (AC)) | VT(V (AC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | Q(%) | IR 1(mA) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel | – | – | BauformM | VersionTHT | Nennstrom1.5 A | Induktivität20 mH | Gleichstromwiderstand270 mΩ | Nennspannung250 V (AC) | Prüfspannung1500 V (AC) | MaterialMnZn | Länge23 mm | Breite13.8 mm | Höhe25.5 mm | MontageartTHT | – | – | ||||
 | WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, –, 85 MHz | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | – | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | Bauform0805 | – | Nennstrom0.05 A | Induktivität0.001 mH | Gleichstromwiderstand400 mΩ | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.2 mm | Höhe0.9 mm | MontageartSMT | Güte45 % | Nennstrom 150 mA | |||
 | WE-FI Funkentstördrossel, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-FI Funkentstördrossel | – | – | – | – | Nennstrom6.1 A | Induktivität0.15 mH | Gleichstromwiderstand45 mΩ | – | – | – | Länge27.5 mm | Breite13.6 mm | – | MontageartTHT | – | – | |||
 | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 0.55 A, 1.7 MHz | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Sättigungsstrom0.55 A | Eigenresonanzfrequenz1.7 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | Nennstrom0.43 A | Induktivität1 mH | Gleichstromwiderstand2050 mΩ | – | – | – | Länge10 mm | Breite10 mm | Höhe5 mm | MontageartSMT | – | – | ||||
 | 750341751 | Inductor, 3 A, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Inductor | Sättigungsstrom3 A | – | BauformPQ2625 | – | – | Induktivität0.21 mH | – | – | Prüfspannung1000 V (AC) | – | Länge28.96 mm | Breite29.84 mm | Höhe29.85 mm | MontageartTHT | – | – | ||
750341924 | Power Transformer, –, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Power Transformer | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||
750341925 | Power Transforme, –, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Power Transforme | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||
750341926 | Power Inductor, –, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Power Inductor | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||
750341927 | Power Transformer, –, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Power Transformer | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – |