IC-Hersteller Nisshinbo Micro Device Inc.

IC-Hersteller (103)

Nisshinbo Micro Device Inc. RP402

High Efficiency Small Packaged Step-up DC/DC Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung-0.3-6.5 V
Schaltfrequenz1080-1320 kHz
Ausgang 13.3 V / 1 A
IC-Revision200604

Beschreibung

The RP402 Series are min. 0.6V input, CMOS-based PWM/VFM step-up DC/DC converters with synchronous rectifier. The RP402 have three switching control types, or PWM control, forced PWM control, and PWM/VFM auto change control. The RP402 includes a soft start circuit, a bypass switch, shutdown switch, an anti-ringing switch. By simply using with an inductor, a capacitor, and resistors (for output voltage adjustable type) as external components, a high-efficiency step-up DC/DC converter can be realized. The output voltage can be selected from the internally fixed type or externally adjustment is possible. In addition to SOT-23-5 package, a 2.0mm square DFN(PLP)2020-8 package is available. The RP402 are ideal for the applications powered by one-cell or two-cell alkaline, nickel-metal-hydride (NiMH) or one-cell Lithium-ion (Li+) batteries.

Eigenschaften

  • Low Voltage Start-up: Typ. 0.7 V
  • Input Voltage Range: Fixed Output Voltage Type: 0.6 V to 4.8 V Adjustable Output Voltage Type: 0.6 V to 4.6 V
  • High Efficiency: 94% (100 mA/ 5.0 V, VIN = 3.6 V, 25°C) 90% (1 mA/ 5.0 V, VIN = 3.6 V, 25°C)
  • Output Current: 800 mA: VIN = 3.6 V, VOUT = 5.0 V
  • LX Driver ON Resistance: NMOS/ PMOS: 0.20 Ω (VOUT = 5.0 V, 25°C)
  • PWM Oscillator Frequency: 1.2 MHz (Normal PWM), 1.0 MHz (Forced PWM)
  • Output Voltage Range: Fixed Output Voltage Type: 1.8 V to 5.5 V, 0.1 V step Adjustable Output Voltage Type: 1.8 V to 5.5 V (recommended)
  • OVLO Detector Threshold: Typ. 5.1 V
  • OVP Detector Threshold: Typ. 6.0 V
  • LX Peak Current Limit: Typ. 1.5 A
  • Latch Protection Delay Time: Typ. 3.3 ms (RP402Kxx1x, RP402Nxx1x) Typ. 4.1 ms (RP402Kxx2x)
  • Soft-start Time: Typ. 0.5 ms
  • EMI Suppression (Built-in Anti-ringing Switch) (RP402Kxx1x, RP402Nxx1x)
  • Voltage Regulation at VIN > VOUT
  • Zero Input Complete Shutdown at VIN = 0 V
  • Input-to-Output Bypass Shutdown Option at CE = L (RP402xxxxC/ D/ G/ H)
  • Ceramic Capacitor Capable
  • Package: DFN(PLP)2020-8, SOT23-5

Typische Anwendungen

  • MP3 Players, PDA, Digital Still Cameras, LCD Bias Supplies, GPS, USB-OTG, HDMI
  • Portable Blood Pressure Meter, Wireless Handset

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
Montageart
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
Muster
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MontageartSMT 
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom1.7 A
Gleichstromwiderstand50 mΩ
Betriebsspannung120 V
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 12.75 A
Sättigungsstrom @ 30%4.85 A
Gleichstromwiderstand172 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Performance Nennstrom2.35 A
MontageartSMT 
Nennstrom1.4 A
Sättigungsstrom3.9 A
Gleichstromwiderstand150 mΩ
Betriebsspannung80 V
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 13.6 A
Sättigungsstrom @ 30%6.1 A
Gleichstromwiderstand115 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Performance Nennstrom2.9 A
MontageartSMT 
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Betriebsspannung80 V
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30%4.2 A
Gleichstromwiderstand108 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Performance Nennstrom3 A
MontageartSMT 
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand94 mΩ
Betriebsspannung80 V
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 12.75 A
Sättigungsstrom @ 30%5.55 A
Gleichstromwiderstand80 mΩ
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
Performance Nennstrom3.6 A
MontageartSMT 
Nennstrom2.4 A
Sättigungsstrom4.3 A
Gleichstromwiderstand67 mΩ
Betriebsspannung80 V
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 12.75 A
Sättigungsstrom @ 30%4.85 A
Gleichstromwiderstand172 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Performance Nennstrom2.35 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand150 mΩ
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 13.6 A
Sättigungsstrom @ 30%6.1 A
Gleichstromwiderstand115 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Performance Nennstrom2.9 A
MontageartSMT 
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand100 mΩ
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30%4.2 A
Gleichstromwiderstand108 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Performance Nennstrom3 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand94 mΩ
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 12.75 A
Sättigungsstrom @ 30%5.55 A
Gleichstromwiderstand80 mΩ
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
Performance Nennstrom3.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand67 mΩ
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand108 mΩ
Eigenresonanzfrequenz46 MHz
MontageartSMT 
Nennstrom1.75 A
Sättigungsstrom3.35 A
Gleichstromwiderstand90 mΩ