| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | -0.3-6.5 V |
| Schaltfrequenz | 1080-1320 kHz |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 1 A |
| IC-Revision | 200604 |
The RP402 Series are min. 0.6V input, CMOS-based PWM/VFM step-up DC/DC converters with synchronous rectifier. The RP402 have three switching control types, or PWM control, forced PWM control, and PWM/VFM auto change control. The RP402 includes a soft start circuit, a bypass switch, shutdown switch, an anti-ringing switch. By simply using with an inductor, a capacitor, and resistors (for output voltage adjustable type) as external components, a high-efficiency step-up DC/DC converter can be realized. The output voltage can be selected from the internally fixed type or externally adjustment is possible. In addition to SOT-23-5 package, a 2.0mm square DFN(PLP)2020-8 package is available. The RP402 are ideal for the applications powered by one-cell or two-cell alkaline, nickel-metal-hydride (NiMH) or one-cell Lithium-ion (Li+) batteries.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | Montageart | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | – | MontageartSMT | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom1.7 A | Gleichstromwiderstand50 mΩ | – | Betriebsspannung120 V | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 12.75 A | Sättigungsstrom @ 30%4.85 A | Gleichstromwiderstand172 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Performance Nennstrom2.35 A | MontageartSMT | Nennstrom1.4 A | Sättigungsstrom3.9 A | – | Gleichstromwiderstand150 mΩ | Betriebsspannung80 V | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 13.6 A | Sättigungsstrom @ 30%6.1 A | Gleichstromwiderstand115 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Performance Nennstrom2.9 A | MontageartSMT | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom5 A | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Betriebsspannung80 V | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 12.5 A | Sättigungsstrom @ 30%4.2 A | Gleichstromwiderstand108 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Performance Nennstrom3 A | MontageartSMT | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom3.5 A | – | Gleichstromwiderstand94 mΩ | Betriebsspannung80 V | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 12.75 A | Sättigungsstrom @ 30%5.55 A | Gleichstromwiderstand80 mΩ | Eigenresonanzfrequenz42 MHz | Performance Nennstrom3.6 A | MontageartSMT | Nennstrom2.4 A | Sättigungsstrom4.3 A | – | Gleichstromwiderstand67 mΩ | Betriebsspannung80 V | ||||
![]() | WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 12.75 A | Sättigungsstrom @ 30%4.85 A | Gleichstromwiderstand172 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Performance Nennstrom2.35 A | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand150 mΩ | – | ||||
![]() | WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 13.6 A | Sättigungsstrom @ 30%6.1 A | Gleichstromwiderstand115 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Performance Nennstrom2.9 A | MontageartSMT | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom5 A | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | – | ||||
![]() | WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 12.5 A | Sättigungsstrom @ 30%4.2 A | Gleichstromwiderstand108 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Performance Nennstrom3 A | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand94 mΩ | – | ||||
![]() | WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 12.75 A | Sättigungsstrom @ 30%5.55 A | Gleichstromwiderstand80 mΩ | Eigenresonanzfrequenz42 MHz | Performance Nennstrom3.6 A | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand67 mΩ | – | ||||
![]() | WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | – | – | Gleichstromwiderstand108 mΩ | Eigenresonanzfrequenz46 MHz | – | MontageartSMT | Nennstrom1.75 A | Sättigungsstrom3.35 A | – | Gleichstromwiderstand90 mΩ | – |