IC-Hersteller Nexperia

IC-Hersteller (103)

Nexperia GAN039-650NTB(A) | Demoboard NX-DP-GAN039-TSC

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung450 V
Ausgang 1450 V
IC-Revision1.0

Beschreibung

The NX-DP-GAN039-TSC half-bridge evaluation board enables double-pulse testing of GaN FETsin a top-side cooled copper-clip package (CCPAK). It is optimized for low inductance and features ahigh bandwidth current shunt that can be used to evaluate the switching performance with maximumprecision. In addition, it can be used for thermal investigations and continuous operation up to severalkilowatts. This user manual aims to support laboratory setup of the evaluation board and gives and anoverview on testing capabilities and typical results.

Eigenschaften

  • Very low switching losses
  • Rugged gate with high threshold voltage, Vth = 4 V, enables single supply gate drive voltage0 V…10 - 12 V.
  • Very good QGD/QGS << 1 ratio, protects against parasitic turn-on
  • Minimal reverse-recovery
  • Very low Rth in top-side cooling for SMD
  • Best in class third-quadrant off-state conduction performance for wide-bandgap devices
  • Very low package inductance (≈1.3 nH @ 100 MHz)

Typische Anwendungen

  • Bridgeless totempole PFC
  • PV and UPS inverters
  • Servo motor drives, Hard and soft switching converters for industrial and datacom power

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
Montageart
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
Bauform
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Schlüsselweite(mm)
To
Pins
Typ
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
PCB/Kabel/Panel
H(mm)
Ø OD(mm)
IR 1(A)
Ti
Tl(mm)
Wicklungstyp
L(µH)
Z @ 100 MHz(Ω)
IR(mA)
RDC max.(mΩ)
VR(V)
VT(V (AC))
Muster
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.4 A, 5.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Sättigungsstrom 12.4 A
Sättigungsstrom @ 30%5.15 A
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
Performance Nennstrom2.4 A
MontageartSMT 
Bauform3020 
Länge3 mm
Breite3 mm
Pins
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Höhe2 mm
Wicklungstypbifilar 
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand158 mΩ
WE-CNSW Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartSMT 
Bauform1812 
Länge4.5 mm
Breite3.2 mm
Pins
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Höhe2.8 mm
Wicklungstypbifilar 
Induktivität1.3 µH
Impedanz @ 100 MHz800 Ω
Nennstrom1000 mA
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Nennspannung60 V
Prüfspannung125 V (AC)
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartSMT 
dominante Wellenlänge [typ.]570 nm
Emittierte FarbeHellgrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]572 nm
Lichtstärke [typ.]40 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0805 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
VerpackungTape and Reel 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Höhe0.7 mm
WR-WTB 2.54 mm Stiftleisten, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartTHT 
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge7.62 mm
VerpackungBeutel 
Pins
TypVertikal 
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
PCB/Kabel/PanelPCB 
Nennstrom [1]3 A
Nennstrom3000 mA
WA-SPAIE Plastic Spacer Stud, metric, internal/ external, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge65 mm
VerpackungBeutel 
Schlüsselweite8 mm
AußengewindeM4 
Betriebstemperatur -30 °C up to +110 °C
InnengewindeM4 
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartTHT 
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge5.08 mm
VerpackungBeutel 
Pins
TypGerade 
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Nennstrom3000 mA
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartTHT 
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge7.62 mm
VerpackungBeutel 
Pins
TypGerade 
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Nennstrom3000 mA
WCAP-CSMH Mid and High Voltage, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Bauform1206 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Pad Dimension0.6 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Höhe1.25 mm
Nennspannung1000 V
WP-SMBU REDCUBE SMT with internal through-hole thread, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartSMT 
VerpackungTape and Reel 
Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C
Höhe3 mm
Außendurchmesser7 mm
Nennstrom [1]50 A
InnengewindeM3 
Gewindelänge4 mm
Nennstrom50000 mA