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IC-Hersteller Nexperia

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ReferenzdesignGAN039-650NTB(A) | Demoboard NX-DP-GAN039-TSC

Nexperia GAN039-650NTB(A) | Demoboard NX-DP-GAN039-TSC

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung450 V
Ausgang 1450 V
IC-Revision1.0

Beschreibung

The NX-DP-GAN039-TSC half-bridge evaluation board enables double-pulse testing of GaN FETsin a top-side cooled copper-clip package (CCPAK). It is optimized for low inductance and features ahigh bandwidth current shunt that can be used to evaluate the switching performance with maximumprecision. In addition, it can be used for thermal investigations and continuous operation up to severalkilowatts. This user manual aims to support laboratory setup of the evaluation board and gives and anoverview on testing capabilities and typical results.

Eigenschaften

  • Very low switching losses
  • Rugged gate with high threshold voltage, Vth = 4 V, enables single supply gate drive voltage0 V…10 - 12 V.
  • Very good QGD/QGS << 1 ratio, protects against parasitic turn-on
  • Minimal reverse-recovery
  • Very low Rth in top-side cooling for SMD
  • Best in class third-quadrant off-state conduction performance for wide-bandgap devices
  • Very low package inductance (≈1.3 nH @ 100 MHz)

Typische Anwendungen

  • Bridgeless totempole PFC
  • PV and UPS inverters
  • Servo motor drives, Hard and soft switching converters for industrial and datacom power

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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