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ReferenzdesignGAN039-650NBB | Demoboard NX-DP-GAN039-BSC Double-Pulse EVB

Nexperia GAN039-650NBB | Demoboard NX-DP-GAN039-BSC Double-Pulse EVB

NX-DP-GAN039-BSC Double-Pulse EVB with Bottom-Side Cooled CCPAK GaN FETs

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung450 V
IC-Revision1

Beschreibung

The NX-DP-GAN039-BSC half-bridge evaluation board is designed for double-pulse testing of GaN FETs in a bottom-side cooled copper-clip package (CCPAK). Optimized for low inductance, the board incorporates a high-bandwidth current shunt to enable accurate evaluation of switching performance. It also supports thermal analysis and continuous operation at power levels up to several kilowatts.

Eigenschaften

  • Input & output voltage Up to 450 V DC
  • Junction temperature Up to 150 °C
  • Maximum power Depends on operating conditions; observe Tcase
  • Ambient temperature Below 50 °C
  • Auxiliary supply 12 V DC nominal, 0.5 A
  • Logic inputs Recommended: 0 V (low), 3.3V (high); 5 V tolerant 50 Ω terminated SMA connector

Typische Anwendungen

  • Hard and soft switching converters for industrial and datacom power, Servo motor drives, PV and UPS inverters

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