IC-Hersteller Navitas Semiconductor Inc

IC-Hersteller (105)

Navitas Semiconductor Inc NVE031B-A1 | Demoboard Nve031b

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur

Beschreibung

This design uses a Critical Conduction Mode (CrCM/DCM) PFC (AC-400 VDC), followed by an LLC DC-DC (400-19 VDC). For both stages, the switching frequency was increased to the maximum allowed by the off-the-shelf control ICs available. The board is designed to be a ‘demonstration’ board, and is not yet optimized as a production design. With this design, a power density of 2.18 W/cc or 35.75 W/in3 is achieved, which is around 2x typical and 40% more than the best-on-class Si-based design today. Customer designs are expected to achieve even higher power density. The PFC section is a standard ON Semi NCP1615 CrCM/DCM powering 2x NV6115 (parallel) GaNFast Power ICs directly. Critical mode PFC (also known as boundary mode) is a soft-switching topology which allows higher frequency operation. The DC-DC section uses the NCP13992 current-mode resonant controller (LLC) driving NV6115s. The NV6115s have monolithically-integrated gate drivers, so the NCP13992’s drivers are not used and loss is minimized.

Typische Anwendungen

  • PFC
  • LLC

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
VPE
IR(A)
L(µH)
RDC max.(mΩ)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.25 A, 3.2 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Performance Nennstrom6.25 A
Sättigungsstrom 13.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
Gleichstromwiderstand34.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Verpackungseinheit700 
Induktivität16 µH
Gleichstromwiderstand37.95 mΩ
MaterialSuperflux 
Länge10.5 mm
Breite10.2 mm
Höhe4.7 mm
MontageartSMT 
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SPECWE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Verpackungseinheit90 
Nennstrom5 A
Induktivität9000 µH
Gleichstromwiderstand32 mΩ
Nennspannung300 V (AC)
Prüfspannung2100 V (AC)
MaterialNanokristallin 
Länge23 mm
Breite13.5 mm
Höhe26 mm
MontageartTHT 
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SPECWE-FI Funkentstördrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Verpackungseinheit200 
Nennstrom2.5 A
Induktivität150 µH
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Länge16.5 mm
Breite10.7 mm
MontageartTHT 
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750317229
SPECTransformer, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Transformer
Induktivität190 µH
Prüfspannung3000 V (AC)
Länge26.5 mm
Breite32.1 mm
Höhe11 mm
MontageartTHT 
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750317297
SPECInductor, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Inductor
Induktivität77.5 µH
Prüfspannung500 V (AC)
Länge26.5 mm
Breite31.2 mm
Höhe11 mm
MontageartTHT 
Verfügbarkeit prüfen

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Navitas Semiconductor Worlds First Fastest GaN Power IC