IC-Referenzdesignsuche
IC-Hersteller Microchip

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesigndsPIC33EP | Demoboard 1600W Bus balancer

Microchip dsPIC33EP | Demoboard 1600W Bus balancer

1600W Bus balancer

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1

Beschreibung

Microchip’s dsPIC33E family of digital signal controllers (DSCs) features a 70 MIPS dsPIC® DSC core with integrated DSP and enhanced on-chip peripherals. These DSCs enable the design of high-performance, precision motor control systems that are more energy efficient, quieter in operation, have a great range and extended life. They can be used to control brushless DC, permanent magnet synchronous, AC induction and stepper motors. These devices are also ideal for high-performance general purpose applications.

Eigenschaften

  • Operating Conditions
  • 3.0V to 3.6V, -40ºC to +85ºC, DC to 70 MIPS
  • 3.0V to 3.6V, -40ºC to +125ºC, DC to 60 MIPS
  • dsPIC33E DSC Core
  • Modified Harvard Architecture
  • C Compiler Optimized Instruction Set
  • 16-bit Wide Data Path
  • 24-bit Wide Instructions
  • 16x16 Integer Multiply Operations
  • 32/16 and 16/16 Integer Divide Operations
  • Two 40-bit Accumulators with Rounding and Saturation Options
  • Single-Cycle Multiply and Accumulate
  • Single-Cycle shifts for up to 40-bit Data
  • 16x16 Fractional Multiply/Divide Operations

Artikeldaten

Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Material
LR(µH)
fres(MHz)
n
L(µH)
∫Udt(µVs)
VT(V (DC))
CWW 1(pF)
LS(µH)
Bauform
MusterVerfügbarkeit & Muster
Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
7443310100
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 32.5 A, 28.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Performance Nennstrom32.5 A
Sättigungsstrom 128.5 A
Sättigungsstrom @ 30%55.1 A
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.94 µH
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
–
Induktivität1 µH
–
–
–
–
Bauform1210 
–Verfügbarkeit prüfen
760301105
SPECWE-GDT Gate-Drive-Übertrager, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-GDT Gate-Drive-Übertrager
–
–
–
–
–
–
–
Übersetzungsverhältnis1:1:1 
Induktivität260 µH
Spannung-µSekunde25.2 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität9 pF
Streuinduktivität1.7 µH
BauformEP5 
–Verfügbarkeit prüfen