| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.7-5.5 V |
| Ausgang 1 | 1.8 V / 1 A |
| IC-Revision | 1 |
The SAM9X60 is a high-performance, ultra-low-power ARM926EJ-S CPU-based embedded microprocessor (MPU) running up to 600 MHz. The SAM9X60 supports various memory interfaces, including 16-bit LPDDR/DDR2, 32-bit LPSDR/SDRAM, NAND flash, Quad SPI and eMMC Flash. The device integrates powerful peripherals for connectivity and user interface applications . It offers State-of-the-Art security functions such as Secure Boot capability with on-chip secure key storage (OTP), high-performance crypto accelerators (SHA, AES and TDES) as well as tamper pins.Microchips offers for different supply and DRAM configurations, fully tested power management solutions respecting the SAM9X60 power sequencing specifications. Go to Treelinktool under DC/DC converters and SAM9X60 for further information.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | RDC max.(mΩ) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom2.2 A | Gleichstromwiderstand65 mΩ | Eigenresonanzfrequenz104 MHz | – | – | – | – | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 2.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom2.2 A | Sättigungsstrom3.7 A | – | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Gleichstromwiderstand99 mΩ | Performance Nennstrom3.05 A | Sättigungsstrom @ 30%4.7 A | Gleichstromwiderstand82 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom2.9 A | – | Eigenresonanzfrequenz57 MHz | Gleichstromwiderstand141 mΩ | Performance Nennstrom2.45 A | Sättigungsstrom @ 30%3.65 A | Gleichstromwiderstand123 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom3 A | – | Eigenresonanzfrequenz46 MHz | Gleichstromwiderstand120 mΩ | – | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | – | MontageartSMT |