| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.7-5.5 V |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 1 A |
| Ausgang 2 | 1.25 V / 1 A |
| Ausgang 3 | 1.2 V / 1 A |
| IC-Revision | 1 |
The MCP16501 is a cost and size optimized integratedPMIC, compatible with Microchip’s EMPUs (EmbeddedMicroprocessor Units) and associated DRAM Memories. It is compatible with SAMA5DX, SAM9X6,SAM9X7, and SAMA7G MPUs, which are supported bydedicated device variants.The MCP16501 integrates three DC-DC Buckregulators and one auxiliary LDO, and provides acomprehensive interface to the MPU.All Buck channels can support loads up to 1A and are100% duty cycle-capable.The 300 mA LDO is provided such that sensitiveanalog loads can be supported.The DDR memory voltage (Buck2 output) and MPUcore voltage (Buck3 output) are selectable by means oftwo three-state input pins. This method allows greaterprecision in the output voltage setting by eliminatinginaccuracies due to external feedback resistors whileminimizing external component count. The voltageselection set allows easy migration across differentgenerations of memory.The default power channel sequencing is built-inaccording to the requirements of the MPU. A dedicatedpin (LPM) facilitates the transition to Low-Power modesand the implementation of Backup mode with DDR inself-refresh (Hibernate mode).
Features
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | RDC max.(mΩ) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom2.2 A | Gleichstromwiderstand65 mΩ | Eigenresonanzfrequenz104 MHz | – | – | – | – | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 2.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom2.2 A | Sättigungsstrom3.7 A | – | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Gleichstromwiderstand99 mΩ | Performance Nennstrom3.05 A | Sättigungsstrom @ 30%4.7 A | Gleichstromwiderstand82 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom2.9 A | – | Eigenresonanzfrequenz57 MHz | Gleichstromwiderstand141 mΩ | Performance Nennstrom2.45 A | Sättigungsstrom @ 30%3.65 A | Gleichstromwiderstand123 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom3 A | – | Eigenresonanzfrequenz46 MHz | Gleichstromwiderstand120 mΩ | – | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | – | MontageartSMT |