| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.7-5.5 V |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 1.5 A |
| Ausgang 2 | 1.2 V / 1.5 A |
| Ausgang 3 | 1 V / 1.5 A |
| Ausgang 4 | 1.8 V / 1.5 A |
| IC-Revision | 1 |
The MCP164GX1000 is a custom-designed Power Management Integrated Circuit (PMIC) specifically developedas a high-performance, small-footprint power companion for the Microchip 64-bit RISC-V® Quad-CoreMicroprocessor PIC64GX1000.Making use of the on-board embedded EEPROM for default power-up configuration, the device ispreprogrammed with the necessary configuration required by the PIC64GX1000. It is available in two memoryarchitecture options: DDR4 (MCP164GX1000AB) and LPDDR4 (MCP164GX1000AA).These options alleviate the production effort, simplifying the integration task of the PMIC into the design. TheMCP164GX1000 also offers flexibility, allowing users to reprogram the IC, in-field or in-circuit, with any desiredconfiguration using the integrated I2C bus, which supports clock rates up to 3.4 MHz. As a safety mechanism,the integrated EEPROM has protection against accidental write operations.The MCP164GX1000 supports commercial and industrial applications.The MCP164GX1000 integrates 13 power channels distributed as eight parallelable 1.5A Buck regulators, four300 mA LDOs, and one low-input/low-output voltage LDO Controller using an external MOSFET.The eight 1.5A Buck regulators can be operated either independently or in parallel to support higher currents,in groups of up to four. The paralleling technique relies on the matching of the power switches’ resistances anddoes not require the complication of an additional current-sharing loop. Part count and solution footprint arealso reduced since all paralleled channels share the same inductor, while the required magnetic volume is thesame as equivalent multi-phase architectures.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | L(µH) | IR(A) | ISAT1(A) | ISAT2(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | ISAT,10%(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 1 µF, ±10% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC) | Kapazität1 µF | Kapazität±10% | Nennspannung25 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Verlustfaktor10 % | Isolationswiderstand0.5 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), 4.7 µF, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC) | Kapazität4.7 µF | Kapazität±20% | Nennspannung10 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C | Verlustfaktor10 % | Isolationswiderstand0.02 GΩ | KeramiktypX5R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), 22 µF, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC) | Kapazität22 µF | Kapazität±20% | Nennspannung10 V (DC) | Bauform0805 | Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C | Verlustfaktor10 % | Isolationswiderstand0.005 GΩ | KeramiktypX5R Klasse II | Länge2 mm | Breite1.25 mm | Höhe1.25 mm | Pad Dimension0.5 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), 47 µF, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC) | Kapazität47 µF | Kapazität±20% | Nennspannung6.3 V (DC) | Bauform1210 | Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C | Verlustfaktor10 % | Isolationswiderstand0.002 GΩ | KeramiktypX5R Klasse II | Länge3.2 mm | Breite2.5 mm | Höhe2.5 mm | Pad Dimension0.75 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), 100 µF, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC) | Kapazität100 µF | Kapazität±20% | Nennspannung6.3 V (DC) | Bauform1206 | Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C | Verlustfaktor10 % | Isolationswiderstand0.001 GΩ | KeramiktypX5R Klasse II | Länge3.2 mm | Breite1.6 mm | Höhe1.6 mm | Pad Dimension0.5 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | – | – | – | Bauform4020 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge4.45 mm | Breite4.06 mm | Höhe1.8 mm | – | – | Induktivität1 µH | – | – | – | Gleichstromwiderstand27 mΩ | Eigenresonanzfrequenz89 MHz | Performance Nennstrom6.2 A | Sättigungsstrom @ 30%12.5 A | Gleichstromwiderstand22 mΩ | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom 16.5 A | ||||
![]() | WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | – | – | – | Bauform252012 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge2.5 mm | Breite2 mm | Höhe1.2 mm | Pad Dimension0.6 mm | – | Induktivität1.5 µH | Nennstrom3.2 A | Sättigungsstrom 11.35 A | Sättigungsstrom 23.05 A | Gleichstromwiderstand77 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | Performance Nennstrom3.2 A | Sättigungsstrom @ 30%3.05 A | Gleichstromwiderstand71 mΩ | – | MontageartSMT | Sättigungsstrom 11.35 A | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | – | – | – | Bauform4020HT | Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C | – | – | – | Länge4 mm | Breite4 mm | Höhe2 mm | – | – | Induktivität0.68 µH | Nennstrom8.1 A | – | – | Gleichstromwiderstand9.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | Performance Nennstrom11.7 A | Sättigungsstrom @ 30%11.7 A | Gleichstromwiderstand8 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom 15.45 A | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, –, – | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | – | – | – | Bauform4020 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge4.3 mm | Breite4.3 mm | Höhe2 mm | – | – | Induktivität0.47 µH | – | – | – | Gleichstromwiderstand6.69 mΩ | Eigenresonanzfrequenz95 MHz | Performance Nennstrom14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12.8 A | Gleichstromwiderstand5.25 mΩ | – | MontageartSMT | Sättigungsstrom 15.6 A |