IC-Hersteller Microchip

IC-Hersteller (103)

Microchip MCP164GX1000AA

MCP164GX1000AA Datasheet

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.7-5.5 V
Ausgang 13.3 V / 1.5 A
Ausgang 21.2 V / 1.5 A
Ausgang 31 V / 1.5 A
Ausgang 41.8 V / 1.5 A
IC-Revision1

Beschreibung

The MCP164GX1000 is a custom-designed Power Management Integrated Circuit (PMIC) specifically developedas a high-performance, small-footprint power companion for the Microchip 64-bit RISC-V® Quad-CoreMicroprocessor PIC64GX1000.Making use of the on-board embedded EEPROM for default power-up configuration, the device ispreprogrammed with the necessary configuration required by the PIC64GX1000. It is available in two memoryarchitecture options: DDR4 (MCP164GX1000AB) and LPDDR4 (MCP164GX1000AA).These options alleviate the production effort, simplifying the integration task of the PMIC into the design. TheMCP164GX1000 also offers flexibility, allowing users to reprogram the IC, in-field or in-circuit, with any desiredconfiguration using the integrated I2C bus, which supports clock rates up to 3.4 MHz. As a safety mechanism,the integrated EEPROM has protection against accidental write operations.The MCP164GX1000 supports commercial and industrial applications.The MCP164GX1000 integrates 13 power channels distributed as eight parallelable 1.5A Buck regulators, four300 mA LDOs, and one low-input/low-output voltage LDO Controller using an external MOSFET.The eight 1.5A Buck regulators can be operated either independently or in parallel to support higher currents,in groups of up to four. The paralleling technique relies on the matching of the power switches’ resistances anddoes not require the complication of an additional current-sharing loop. Part count and solution footprint arealso reduced since all paralleled channels share the same inductor, while the required magnetic volume is thesame as equivalent multi-phase architectures.

Eigenschaften

  • Input Voltage: 2.7V to 5.5V
  • Eight 1.5A Buck DC-DC Channels
  • Four 300 mA High-Accuracy LDOs
  • One High-Accuracy, High-PSRR LDO Controller Using External N-Channel MOSFET (SERDES Lanes Supply)
  • ±0.8% Output Voltage Accuracy for Bucks (VDD), for VFB ≥ 1V
  • -1.5%/+1% Output Voltage Accuracy for the LDO Controller, for VFBLC ≥ 0.9V
  • ±1% Output Voltage Accuracy for LDOs, for VFBL ≥ 1.8V
  • Directly Parallelable Buck Channels Power Stages – Up to 4 – for a Combined Current Capability Up to 6A
  • Tight RDS(ON) Matching of Parallelable Channels for Good Current Sharing
  • Minimum Number of Inductors: Paralleled Buck Channels Share the Same Inductor
  • Programmable Output Voltage for all Buck and LDO Channels 0.6V to 3.8V – No External Feedback ResistorsRequired
  • 100% Duty Cycle Capability of Buck Channels
  • LDO Controller Output Voltage 0.6V to 1.6V/12.5 mV Steps
  • Reference Ground (REFGND) Can be Remotely Routed to the Load Ground (Pseudo Remote Sensing)
  • Low-Noise Forced-PWM and Light-load High-Efficiency Mode Available (Pin-Selectable or Bit Control)MCP164GX1000Data Sheet© 2025 Microchip Technology Inc. and its subsidiaries20007007A - 3
  • External Synchronization of Switching Frequency, with Accurate Switching-Events Time Positioning
  • Selectable Phase (0°, 90°, 180° or 270°) for Buck Channels
  • Global RESET (nRSTO_A) with Programmable Deassertion Delay
  • User-Defined RESET (nRSTO_P) with Programmable Deassertion Delay – Ideal for PolarFire FPGA DEVRST_NInterfacing
  • 3.4 MHz I2C Interface
  • In-Circuit Programmable: On-Board Embedded EEPROM for Default Power-Up Configuration Programming
  • EEPROM Write Password Protection
  • Dedicated VDD Supply Pin for EEPROM and Interface Allows Programming Without Powering Up theApplication
  • Reconfigurable During Run Time
  • Hiccup Mode Current Limit for Buck Channels (Can Be Disabled)
  • Programmable Thermal Early Warning and Thermal Shutdown Protection
  • nINTO Pin (Interrupt Flag) With Selectable Interrupt Masking for Each Channel
  • 64-Pin VQFN Package, 8 x 8 mm
  • –40°C to +105°C Junction Temperature Range

Typische Anwendungen

  • Processor PSU, LPDDR4 and DDR4 PSU

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
Montageart
ISAT,10%(A)
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 1 µF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), 4.7 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität4.7 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.02 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), 22 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.005 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), 47 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität47 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung6.3 V (DC)
Bauform1210 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.002 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite2.5 mm
Höhe2.5 mm
Pad Dimension0.75 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), 100 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung6.3 V (DC)
Bauform1206 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.001 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1.6 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform4020 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge4.45 mm
Breite4.06 mm
Höhe1.8 mm
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand27 mΩ
Eigenresonanzfrequenz89 MHz
Performance Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom @ 30%12.5 A
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 16.5 A
WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform252012 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge2.5 mm
Breite2 mm
Höhe1.2 mm
Pad Dimension0.6 mm
Induktivität1.5 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom 11.35 A
Sättigungsstrom 23.05 A
Gleichstromwiderstand77 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
Performance Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom @ 30%3.05 A
Gleichstromwiderstand71 mΩ
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 11.35 A
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform4020HT 
Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C
Länge4 mm
Breite4 mm
Höhe2 mm
Induktivität0.68 µH
Nennstrom8.1 A
Gleichstromwiderstand9.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
Performance Nennstrom11.7 A
Sättigungsstrom @ 30%11.7 A
Gleichstromwiderstand8 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 15.45 A
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform4020 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge4.3 mm
Breite4.3 mm
Höhe2 mm
Induktivität0.47 µH
Gleichstromwiderstand6.69 mΩ
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
Performance Nennstrom14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12.8 A
Gleichstromwiderstand5.25 mΩ
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 15.6 A