Kinetic Technology KTB2140 | Demoboard KTB2140GUAP-MMEV01 | IC-Referenzdesignsuche von Würth Elektronik

IC-Referenzdesignsuche

ReferenzdesignKTB2140 | Demoboard KTB2140GUAP-MMEV01

Details

Topologie	Eintaktflusswandler
Eingangsspannung	37-57 V
Ausgang 1	12 V / 6 A
IC-Revision	August 2025

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Produktseite des IC-Herstellers

Von Kinetic Technology freigegebene Bauteile

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	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L(µH)	I_R(A)	I_SAT(A)	R_DC(mΩ)	f_res(MHz)	V_T(V (AC))	I_RP,40K(A)	I_SAT,10%(A)	I_SAT,30%(A)	Material	VPE	Version	V_in	V_Out1(V)	I_Out1(A)	V_aux(V)	n	Bauform	Montageart	MusterVerfügbarkeit & Muster

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	744325550	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, –	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads8 Dateien ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB IGS WE-HCI_1050_744325 (rev1).igs \| 1.9 MB STP WE-HCI_1050_744325 (rev1).stp \| 602.1 KB PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB	Status AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität5.5 µH	–	–	Gleichstromwiderstand10.3 mΩ	Eigenresonanzfrequenz30 MHz	–	Performance Nennstrom12 A	Sättigungsstrom 14.5 A	Sättigungsstrom @ 30%12 A	MaterialSuperflux	Verpackungseinheit700	VersionSMT	–	–	–	–	–	Bauform1050	MontageartSMT	–Verfügbarkeit prüfen
	750319034	SPECWE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, 66 µH, –	Simulation–	Verfügbarkeit –	Downloads7 Dateien ALT Altium_WE-PoE PLUS PLUS (rev26a).IntLib \| 930.5 KB CDS Cadence_WE-POE++ (rev26b).zip \| 5.7 MB EAG Eagle_WE-POE-Plus-Plus (rev26a).lbr \| 132.9 KB KIC KiCad_WE-PoE++ (rev26c).zip \| 551 KB STP Download_STP_070-5899 (rev1).STEP \| 1.3 MB LT LTSpice_WE-PoE (rev26a).zip \| 89 KB PSP PSpice_WE-PoE (rev26a).zip \| 37.7 KB	Status AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer	Induktivität66 µH	–	–	–	–	Prüfspannung1500 V (AC)	–	–	–	–	–	VersionActive Clamp Forward	Input Voltage 33 - 57 V (DC)	Ausgangsspannung 112 V	Ausgangsstrom 16 A	Hilfsspannung12 V	Übersetzungsverhältnis1.6:1:1:1	BauformEFD20	MontageartSMT	–Verfügbarkeit prüfen
	74404054102	SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.2 A	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads8 Dateien ALT WE-LQS (rev24a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-LQS (rev24b).zip \| 6.2 MB EAG Eagle_WE-LQS (rev24a).lbr \| 135.4 KB KIC KiCad_WE-LQS (rev26b).zip \| 713.7 KB IGS WE-LQS_5040_LQS (rev1).igs \| 1.2 MB STP WE-LQS_5040_LQS (rev1).stp \| 634.2 KB PSP PSpice_WE-LQS (rev23a).zip \| 36.9 KB SCS Spectre_WE-LQS (rev24a).mod \| 42.7 KB	Status AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel	Induktivität1000 µH	Nennstrom0.2 A	Sättigungsstrom0.24 A	Gleichstromwiderstand6000 mΩ	Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz	–	–	–	–	–	Verpackungseinheit1500	–	–	–	–	–	–	Bauform5040	MontageartSMT	–Verfügbarkeit prüfen