Kinetic Technology KTB2140 | Demoboard KTB2140GUAP-MMEV01 | IC-Referenzdesignsuche von Würth Elektronik

IC-Referenzdesignsuche

ReferenzdesignKTB2140 | Demoboard KTB2140GUAP-MMEV01

Details

Topologie	Eintaktflusswandler
Eingangsspannung	37-57 V
Ausgang 1	12 V / 6 A
IC-Revision	August 2025

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Produktseite des IC-Herstellers

Artikeldaten

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	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L(µH)	I_R(A)	I_SAT(A)	R_DC(mΩ)	f_res(MHz)	V_T(V (AC))	I_RP,40K(A)	I_SAT,10%(A)	I_SAT,30%(A)	Material	VPE	Version	V_in	V_Out1(V)	I_Out1(A)	V_aux(V)	n	Bauform	Montageart	MusterVerfügbarkeit & Muster

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	744325550	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, – Anstehende PCN Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. SPEC Datenblatt PCN PCN Dokument	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB IGS WE-HCI_1050_744325 (rev1).igs \| 1.9 MB STP WE-HCI_1050_744325 (rev1).stp \| 602.1 KB PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität5.5 µH	–	–	Gleichstromwiderstand10.3 mΩ	Eigenresonanzfrequenz30 MHz	–	Performance Nennstrom12 A	Sättigungsstrom 14.5 A	Sättigungsstrom @ 30%12 A	MaterialSuperflux	Verpackungseinheit700	VersionSMT	–	–	–	–	–	Bauform1050	MontageartSMT	–Verfügbarkeit prüfen
	750319034	SPECWE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, 66 µH, –	Simulation–	Verfügbarkeit –	Downloads7 Dateien ALT Altium_WE-POE++ (rev25a).IntLib \| 931 KB CDS Cadence_WE-POE++ (rev25a).zip \| 5.6 MB EAG Eagle_WE-POE-Plus-Plus (rev25a).lbr \| 149 KB KIC KiCad_WE-PoE++ (rev26c).zip \| 551 KB STP Download_STP_070-5899 (rev1).STEP \| 1.3 MB LT LTSpice_WE-PoE (rev25a).zip \| 89 KB PSP PSpice_WE-PoE (rev25a).zip \| 37.6 KB	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer	Induktivität66 µH	–	–	–	–	Prüfspannung1500 V (AC)	–	–	–	–	–	VersionActive Clamp Forward	Input Voltage 33 - 57 V (DC)	Ausgangsspannung 112 V	Ausgangsstrom 16 A	Hilfsspannung12 V	Übersetzungsverhältnis1.6:1:1:1	BauformEFD20	MontageartSMT	–Verfügbarkeit prüfen
	74404054102	SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.2 A	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien ALT WE-LQS (rev24a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-LQS (rev24b).zip \| 6.2 MB EAG Eagle_WE-LQS (rev24a).lbr \| 135.4 KB KIC KiCad_WE-LQS (rev26b).zip \| 713.7 KB ZUK Cadstar_WE-LQS (rev20b).zip \| 20.4 KB IGS WE-LQS_5040_LQS (rev1).igs \| 1.2 MB STP WE-LQS_5040_LQS (rev1).stp \| 634.2 KB PSP PSpice_WE-LQS (rev23a).zip \| 36.9 KB SCS Spectre_WE-LQS (rev24a).mod \| 42.7 KB	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel	Induktivität1000 µH	Nennstrom0.2 A	Sättigungsstrom0.24 A	Gleichstromwiderstand6000 mΩ	Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz	–	–	–	–	–	Verpackungseinheit1500	–	–	–	–	–	–	Bauform5040	MontageartSMT	–Verfügbarkeit prüfen