IC-Hersteller ISSI

IC-Hersteller (103)

ISSI IS32LT3954-GRLA3-EB

IS31LT3954_IS32LT3954 DEMO BOARD GUIDE

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-38 V
Ausgang 13 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The IS31LT3954_IS32LT3954 is a DC-to-DC switching converter, which integrate an N-channel MOSFET to operate in a buck configuration. The device supply a wide input voltage between 4.5V and 38V and provides a constant current of up to 3A for driving a single LED or multiple series connected LEDs. The external resistor, RSET, is used to adjust LED output current, which allowing the output voltage to be automatically adjusted for a variety of LEDconfigurations. The IS31LT3954_IS32LT3954 operates in a fixed frequency mode during switching. There is an external resistor connected between the VCC and TON pins used to configure the on-time (switching frequency).The switching frequency is dithered for spreadspectrum feature to spread the electromagneticemitting energy into a wider frequency band. It is helpful to optimize the EMI performance.A logic input PWM signal to the enable (EN) pin is applied to adjust the LED current. The brightness of LED is proportional to the duty cycle of the PWM signal.True average output current operation is achieved with fast transient response by using cycle-by-cycle, controlled on-time method.IS31LT3954_IS32LT3954 is available in an SOP-8-EP package with an exposed pad for enhanced thermal dissipation. It operates from 4.5V to 38V over the temperature range of -40°C to +125°C.

Eigenschaften

  • Wide input voltage supply from 4.5V to 38V
  • Withstand 40V load dump- ±5% true average output current control- 3A maximum output over operating temperature range- Cycle-by-cycle current limit- Integrated high-side MOSFET switch- Dimming via direct logic input or power supplyvoltage- Internal control loop compensation- Under-voltage lockout (UVLO) and thermalshutdown protection- 2μA low power shutdown- Spread spectrum to optimize EMI
  • Robust fault protection and reporting function:
  • Pin-to-GND short
  • Component open/short faults
  • Adjacent pin-to-pin short
  • LED open/short- AEC-Q100 qualification
  • IS32LT3954 only

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom7.7 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
Nennstrom5 A
WE-PD Speicherdrossel, 10 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 110.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Nennstrom7.1 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.8 A
Nennstrom4.2 A
WE-PD Speicherdrossel, 15 µH, 7.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom7.4 A
Gleichstromwiderstand26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%9.8 A
Nennstrom6.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom6 A
Sättigungsstrom3.7 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.7 A
Sättigungsstrom @ 30%4.8 A
Nennstrom3.5 A
WE-PD Speicherdrossel, 22 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom7 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Nennstrom5.3 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom3 A
Gleichstromwiderstand57 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom @ 30%3.9 A
Nennstrom2.8 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%6.8 A
Nennstrom4.2 A
WE-PD Speicherdrossel, 47 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6.5 MHz
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.5 A
Nennstrom3.8 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom4.1 A
Sättigungsstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand77 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9.2 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 12.6 A
Sättigungsstrom @ 30%3.4 A
Nennstrom2.4 A