| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-38 V |
| Ausgang 1 | 6.4 V / 3 A |
| IC-Revision | B |
The IS32LT3953B is a DC-to-DC switching converter that integrates an N-channel MOSFET to operate in a buck configuration. The device can operate from a wide input voltage between 4.5V and 38V and provides a constant current of up to 3A for driving a single LED or multiple series connected LEDs. The external resistor, RISET, is used to set a constant LED output current, while allowing the output voltage to be automatically adjusted for a variety of LED configurations. The IS32LT3953B operates in a fixed frequency mode during switching. There is an external resistor connected between the VCC and TON pins used to configure the on-time (switching frequency). The switching frequency is dithered for spread spectrum operation which will spread the electromagnetic energy into a wider frequency band. This function is helpful for optimizing EMI performance. A logic input PWM signal applied to the enable (EN) pin will adjust the average LED current. The LED brightness is proportional to the duty cycle of the PWM signal. True average output current operation is achieved with fast transient response by using cycle-by-cycle, controlled on-time method. The IS32LT3953B is available in an SOP-8-EP package with an exposed pad for enhanced thermal dissipation. It operates from 4.5V to 38V over the temperature range of -40°C to +125°C.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | IR,40K(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom7.7 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand24 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7.2 A | Nennstrom5 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 10 µH, 9.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom9.5 A | – | Gleichstromwiderstand21 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 110.5 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Nennstrom7.1 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.8 A | Nennstrom4.2 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 15 µH, 7.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7.4 A | – | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%9.8 A | Nennstrom6.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom6 A | Sättigungsstrom3.7 A | Gleichstromwiderstand36 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13.7 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Nennstrom3.5 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 22 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom7 A | – | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 16.5 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | Nennstrom5.3 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 4.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom4.6 A | Sättigungsstrom3 A | Gleichstromwiderstand57 mΩ | Eigenresonanzfrequenz11 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%3.9 A | Nennstrom2.8 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 5.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom5.5 A | – | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%6.8 A | Nennstrom4.2 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 47 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom4.9 A | – | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Eigenresonanzfrequenz6.5 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.5 A | Nennstrom3.8 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 4.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom4.1 A | Sättigungsstrom2.6 A | Gleichstromwiderstand77 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9.2 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 12.6 A | Sättigungsstrom @ 30%3.4 A | Nennstrom2.4 A |