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Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-38 V |
| Ausgang 1 | 3 A |
| IC-Revision | B |
Beschreibung
The IS31LT3954_IS32LT3954 is a DC-to-DC switchingconverter, which integrate an N-channel MOSFET to operate in a buck configuration. The device supply a wide input voltage between 4.5V and 38V and provides a constant current of up to 3A for driving a single LED or multiple series connected LEDs.The external resistor, RSET, is used to adjust LED output current, which allowing the output voltage to be automatically adjusted for a variety of LED configurations.
Eigenschaften
- Wide input voltage supply from 4.5V to 38V
- Withstand 40V load dump
- ±5% true average output current control
- 3A maximum output over operating temperature range
- Cycle-by-cycle current limit
- Integrated high-side MOSFET switch
- Dimming via direct logic input or power supply voltage
- Internal control loop compensation
- Under-voltage lockout (UVLO) and thermal shutdown protection
- 2μA low power shutdown
- Spread spectrum to optimize EMI
- Robust fault protection and reporting function:
- Pin-to-GND short
- Component open/short faults
- Adjacent pin-to-pin short
- LED open/short
- AEC-Q100 qualification
- IS32LT3954 only
Typische Anwendungen
- General high brightness LED lighting, Architecture lighting, Dimmable lights, Pool lighting
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | IR,40K(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom7.7 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand24 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7.2 A | Nennstrom5 A | ||||
| WE-PD Speicherdrossel, 10 µH, 9.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom9.5 A | – | Gleichstromwiderstand21 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 110.5 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Nennstrom7.1 A | ||||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.8 A | Nennstrom4.2 A | ||||
| WE-PD Speicherdrossel, 15 µH, 7.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7.4 A | – | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%9.8 A | Nennstrom6.5 A | ||||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom6 A | Sättigungsstrom3.7 A | Gleichstromwiderstand36 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13.7 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Nennstrom3.5 A | ||||
| WE-PD Speicherdrossel, 22 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom7 A | – | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 16.5 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | Nennstrom5.3 A | ||||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 4.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom4.6 A | Sättigungsstrom3 A | Gleichstromwiderstand57 mΩ | Eigenresonanzfrequenz11 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%3.9 A | Nennstrom2.8 A | ||||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 5.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom5.5 A | – | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%6.8 A | Nennstrom4.2 A | ||||
| WE-PD Speicherdrossel, 47 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom4.9 A | – | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Eigenresonanzfrequenz6.5 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.5 A | Nennstrom3.8 A | ||||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 4.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom4.1 A | Sättigungsstrom2.6 A | Gleichstromwiderstand77 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9.2 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 12.6 A | Sättigungsstrom @ 30%3.4 A | Nennstrom2.4 A |