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IC-Hersteller Intel

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ReferenzdesignSTRATIX V GX

Intel STRATIX V GX

Serial Digital Interface Reference Design for Stratix V GX and Arria V GX Devices

Details

TopologieAufwärtswandler
IC-Revision1.0

Beschreibung

The reference design provides a general platform to control, test, and monitor different speeds of the SDI operations. Figure 1 shows a high-level block diagram of the SDI reference design.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
LR(nH)
IR(A)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744308033
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 54.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

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ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität330 nH
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 127.3 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit500 
Nenninduktivität305 nH
Nennstrom25 A
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
744314200
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 13.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

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ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2000 nH
Performance Nennstrom13.8 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Gleichstromwiderstand5.85 mΩ
Eigenresonanzfrequenz68 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
Nenninduktivität1350 nH
–
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand6.435 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443551200
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 26.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen
ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2000 nH
Performance Nennstrom26.5 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Nenninduktivität1400 nH
–
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
742792609
SPECWE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

Alle 8 Dateien als ZIP herunterladen
ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
–
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit4000 
–
Nennstrom2 A
Impedanz @ 100 MHz30 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand40 mΩ
TypHochstrom 
–Verfügbarkeit prüfen