IC-Hersteller Intel

IC-Hersteller (103)

Intel STRATIX V GX

Serial Digital Interface Reference Design for Stratix V GX and Arria V GX Devices

Details

TopologieAufwärtswandler
IC-Revision1.0

Beschreibung

The reference design provides a general platform to control, test, and monitor different speeds of the SDI operations. Figure 1 shows a high-level block diagram of the SDI reference design.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
LR(nH)
IR(A)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
Muster
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 54.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 127.3 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MaterialMnZn 
Nenninduktivität305 nH
Nennstrom25 A
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 13.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2000 nH
Performance Nennstrom13.8 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Gleichstromwiderstand5.85 mΩ
Eigenresonanzfrequenz68 MHz
MaterialSuperflux 
Nenninduktivität1350 nH
Gleichstromwiderstand6.435 mΩ
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 26.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2000 nH
Performance Nennstrom26.5 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität1400 nH
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Nennstrom2 A
Impedanz @ 100 MHz30 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand40 mΩ
TypHochstrom