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ReferenzdesignSTRATIX V GX

Intel STRATIX V GX

Serial Digital Interface Reference Design for Stratix V GX and Arria V GX Devices

Details

TopologieAufwärtswandler
IC-Revision1.0

Beschreibung

The reference design provides a general platform to control, test, and monitor different speeds of the SDI operations. Figure 1 shows a high-level block diagram of the SDI reference design.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
LR(nH)
IR(A)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744308033
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 54.3 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität330 nH
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 127.3 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit500 
Nenninduktivität305 nH
Nennstrom25 A
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
744314200
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 13.8 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2000 nH
Performance Nennstrom13.8 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Gleichstromwiderstand5.85 mΩ
Eigenresonanzfrequenz68 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
Nenninduktivität1350 nH
–
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand6.435 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443551200
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 26.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2000 nH
Performance Nennstrom26.5 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Nenninduktivität1400 nH
–
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
742792609
SPECWE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
–
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit4000 
–
Nennstrom2 A
Impedanz @ 100 MHz30 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand40 mΩ
TypHochstrom 
–Verfügbarkeit prüfen