IC-Hersteller Intel

IC-Hersteller (106)

Intel ARRIA V GX

Arria V GX FPGA Development Kit

Details

TopologieAufwärtswandler
IC-Revision1.0

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
LR(µH)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 27.2 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom27.2 A
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
Bauform1090 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 141.4 A
Sättigungsstrom @ 30%46 A
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.67 µH
Gleichstromwiderstand2.65 mΩ
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SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.9 A
Sättigungsstrom6.5 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
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SPECWE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz30 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand40 mΩ
TypHochstrom 
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