| Topologie | Aufwärtswandler |
| Schaltfrequenz | 800 kHz |
| IC-Revision | 2012.12.28 |
Altera Cyclone& 174; V 28 nm FPGAs provide the industry's lowest system cost and power, along with performance levels that make the device family ideal for differentiating your high-volume applications. You'll get up to 40 percent lower total power compared with the previous generation, efficient logic integration capabilities, integrated transceiver variants, and SoC FPGA variants with an ARM-based hard processor system (HPS). The family comes in six targeted variants: Cyclone V E FPGA with logic only Cyclone V GX FPGA with 3.125-Gbps transceivers Cyclone V GT FPGA with 5-Gbps transceivers Cyclone V SE SoC FPGA with ARM-based HPS and logic Cyclone V SX SoC FPGA with ARM-based HPS and 3.125-Gbps transceivers Cyclone V ST SoC FPGA with ARM-based HPS and 5-Gbps transceivers
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR 1(mA) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | H(mm) | B(mm) | IR(A) | Montageart | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Material | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(mΩ) | Typ | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | – | – | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | Höhe3.8 mm | Breite6.9 mm | – | MontageartSMT | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | MaterialSuperflux | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | – | Sättigungsstrom1.95 A | – | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | Höhe2.8 mm | Breite5.8 mm | Nennstrom2.4 A | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand38 mΩ | – | ||||
![]() | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Sättigungsstrom0.125 A | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom 2850 mA | Gleichstromwiderstand390 mΩ | TypHoher Sättigungsstrom | ||||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, 2000 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | Nennstrom 12000 mA | – | – | – | Höhe0.8 mm | Breite0.8 mm | Nennstrom2 A | MontageartSMT | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz30 Ω | Maximale Impedanz40 Ω | Maximale Impedanz1000 MHz | Nennstrom 23000 mA | Gleichstromwiderstand40 mΩ | TypHochstrom |