IC-Hersteller Infineon Technologies

IC-Hersteller (107)

Infineon Technologies 2EDN7524R | Demoboard EVAL_3KW_2LLC_CFD7

3kW dual-phase LLC evaluation board with 600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET

Details

TopologieLLC Resonanzwandler
Eingangsspannung350-410 V
Ausgang 158 V / 55 A
IC-Revision1.0

Beschreibung

This evaluation board shows how to design a dual-phase LLC system solution of a telecom rectifier with the target to meet 80+ Titanium Standard efficiency requirements. For this purpose the following technologies have been used:The latest 600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET technology (IPW60R031CFD7) on the primary side and OptiMOS™ 5 150V low voltage power MOSFET in SuperSO8 (BSC093N15NS5) in the synchronous rectification secondary stage, in combination with quasi-resonant CoolSET™ (ICE2QR2280Z), high voltage gate driver EiceDRIVER™ 1EDI (1EDI60N12AF), high speed driver ICs for high voltage MOSFETs, low side gate driver EiceDRIVER™ 2EDN (2EDN7524R) for sychronous rectification MOSFETs and a digital LLC XMC™ microcontroller (XMC4400-F64K512 BA).

Eigenschaften

  • Dual-phase concept
  • Full digital control
  • Graphical user interface

Typische Anwendungen

  • Industrial battery chargers
  • Telecom rectifiers, Industrial SMPS

Weiterführende Informationen

Von Infineon Technologies freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
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ISAT,30%(A)
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fres(MHz)
Material
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 200 nH

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Nenninduktivität200 nH
Nennstrom47.5 A
Sättigungsstrom 135.1 A
Sättigungsstrom @ 30%46.8 A
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MaterialMnZn 
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