IC-Hersteller Infineon Technologies

IC-Hersteller (103)

Infineon Technologies 1EDC20H12AH | Demoboard EVAL-1EDC20H12AH-SIC

1EDI20H12AH/1EDC20H12AH with CoolSiC™ MOSFET IMZ120R045M1

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung15.5-16.5 V
Schaltfrequenz100 kHz
IC-Revision1.20

Beschreibung

The gate driver evaluation board EVAL-1EDC20H12AH-SIC with the EiceDRIVER™ 1EDC20H12AH or 1EDI20H12AH and CoolSiC™ MOSFET IMZ120R045M1 are developed to demonstrate the functionality and key features of the Infineon EiceDRIVER™ gate driver IC and Infineon CoolSiC™ MOSFET.The board comes with either the 1EDC20H12AH or the 1EDI20H12AH gate driver installed.The 1EDC20H12AH offers a certification according to UL1577 while the 1EDI20H12AH is the functional insulatedvariant. All other components and functions are the same.The boards contain a short circuit protection to turn OFF the CoolSiC™ MOSFET within about 1.5 μs after a short circuit event. Main features of the boards are described in the key feature section of this document, whereas the remaining paragraphs provide information intended to enable the users to copy, modify and qualify the designfor production, according to their own specific requirements.

Eigenschaften

  • Single channel isolated IGBT driver
  • For 600 V/650 V/1200 V IGBTs, MOSFETs and SiC MOSFETs
  • Up to 10 A typical peak current at rail-to-rail outputs
  • Separate source and sink outputs
  • Galvanically isolated coreless transformer driver
  • Wide input voltage operating range
  • Suitable for operation at high ambient temperature
  • Recognized under UL 1577 with an insulation test voltage of VISO = 3000 V for 1 s

Typische Anwendungen

  • AC and brushless DC motor drives, High voltage DC/DC-converter and DC/AC-inverter, Induction heating resonant application,welding and solar
  • UPS-systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Pins
Typ
Montageart
IR(A)
Arbeitsspannung(V (AC))
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 100 pF, ±5%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe0.6 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 1 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 1 µF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 1 µF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform1206 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3 %
Isolationswiderstand0.5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1.6 mm
Pad Dimension0.6 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 10 µF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform1206 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.01 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1.6 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WR-PHD Stiftleisten - Zweireihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge12.7 mm
VerpackungBeutel 
Pins10 
TypGerade 
MontageartTHT 
Nennstrom3 A
Arbeitsspannung250 V (AC)
750317493
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer, –, –
Simu­lation
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer
750318016
Gate Drive Transformer, –, –
Simu­lation
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Gate Drive Transformer