IC-Hersteller GaN Systems

IC-Hersteller (104)

GaN Systems GS66516T | Demoboard GS665BTP-REF

High Efficiency CCM Bridgeless Totem Pole PFC Design using GaN E-HEMT

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur
Eingangsspannung176-264 V
Ausgang 1400 V / 7.5 A
IC-Revision170905

Beschreibung

The designed PFC evaluation board consists of three major parts. They are the PFC controller daughter board, GS66516T half-bridge daughter board, and the mother board. The PFC control chip is the UCD3138 IC chip from Texas Instruments. The GS66516T devices from GaN Systems are chosen for the fast GaN E-HEMT [3]. The IXFH80N65X2 is chosen for the Si MOSFET switches. The system block diagram is shown in Figure 3.2. The mother board consists of EMI filter, start up circuit, line frequency Si MOSFETs and their gate drive circuits, and voltage and current sensing circuits. The PFC controller daughter board requires 3.3-V input and it includes current, input line voltage and output voltage sampling pins as inputs. The outputs are 4 PWM pins, in which 2 of them are applied to the GaN half bridge and the other 2 are applied to the line frequency Si MOSFETs.

Eigenschaften

  • Ultra-low FOM Island Technology® die
  • Low inductance GaNPX® package
  • Easy gate drive requirements (0 V to 6 V)
  • Transient tolerant gate drive (-20 / +10 V )
  • Very high switching frequency (> 100 MHz)
  • Fast and controllable fall and rise times
  • Reverse current capability
  • Zero reverse recovery loss
  • Small 9 x 7.6 mm2 PCB footprint
  • Dual gate pads for optimal board layout
  • RoHS 6 compliant

Typische Anwendungen

  • High efficiency power conversion / Uninterruptable Power Supplies
  • Industrial Motor Drives
  • Solar and Wind Power
  • Fast Battery Charging

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Sicherheitsklasse
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
Verpackung
IR(A)
L(mH)
RDC max.(mΩ)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWCAP-FTX2 Folienkondensatoren, Across the mains, 1 µF
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
SicherheitsklasseX2 
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit170 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand10 GΩ
Raster22.5 mm
VerpackungKarton 
Nennspannung275 V (AC)
Länge26 mm
Breite11 mm
Höhe20 mm
MontageartBoxed THT 
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SPECWE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom20 A
Induktivität1 mH
Gleichstromwiderstand2.4 mΩ
Nennspannung300 V (AC)
Prüfspannung2100 V (AC)
MaterialNanokristallin 
Länge30 mm
Breite19 mm
Höhe28 mm
MontageartTHT 
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