| Topologie | Abwärts- und Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 12-48 V |
| Ausgang 1 | 60 V / 0.85 A |
| Ausgang 2 | 12 V / 5 A |
| IC-Revision | 1.0 |
The EPC9162 demonstration board is a bi-directional buck or reverse-boost converter. It has a low and high voltage port. When powered from the low voltage port it can boost the voltage with output on the high voltage port up to 60 V maximum. If powered from the high voltage port, it operates as a buck converter.The synchronous converter features the 100 V EPC2052 GaN FET, while the EPC2038 GaN FET is used in the synchronous Bootstrap FET circuit. The EPC9162 is by default programmed as reverse boost converter that is powered from the low voltage port.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Pins | Typ | Montageart | L(mm) | H(mm) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Betriebstemperatur | Wicklungstyp | L(µH) | Z @ 100 MHz(Ω) | IR(A) | RDC max.(Ω) | VR(V) | VT(V (AC)) | Kanäle | Polarität | VCh max.(V) | ICh Leak max.(µA) | VBR min.(V) | CCh typ.(pF) | IPeak(A) | VCh Clamp ESD typ.(V) | VESD Contact(kV) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.63 A, 840 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Sättigungsstrom0.63 A | Gleichstromwiderstand840 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9 MHz | – | – | MontageartSMT | Länge4 mm | Höhe1.8 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | Induktivität68 µH | – | Nennstrom0.54 A | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-CNSW Stromkompensierter SMT Line Filter, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CNSW Stromkompensierter SMT Line Filter | – | – | – | Pins4 | – | MontageartSMT | Länge1.6 mm | Höhe1.1 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | Wicklungstypbifilar | Induktivität0.134 µH | Impedanz @ 100 MHz90 Ω | Nennstrom0.55 A | Gleichstromwiderstand0.145 Ω | Nennspannung50 V | Prüfspannung125 V (AC) | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-TVS TVS Diode – High Speed Series, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TVS TVS Diode – High Speed Series | – | – | – | – | – | MontageartSMT | Länge1.6 mm | Höhe0.55 mm | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | – | – | Kanäle2+1 | PolaritätUnidirectional | Kanal Betriebsspannung [max.]5 V | Kanal (Rück) Leckstrom [max.]1 µA | (Rückwärts-) Durchbruchspannung [min.]6 V | (Kanal) Eingangskapazität [typ.]2 pF | (Reverse) Peak Pulse Current6 A | Kanal ESD Klemmspannung [typ.]10 V | ESD Kontact-Entladungsfähigkeit8 kV | ||||
![]() | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, – | Simulation– | Downloads7 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | – | – | – | Pins5 | TypAbgewinkelt | MontageartTHT | Länge12.7 mm | – | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | – | Nennstrom3 A | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – |