| Topologie | Abwärts- und Aufwärtswandler |
| Ausgang 1 | 12 V / 5 A |
| IC-Revision | 1.0 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom14.9 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand7 mΩ | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2A SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom1.2 A | Sättigungsstrom1.46 A | Eigenresonanzfrequenz27 MHz | MontageartSMT | – | – | – | – | – |