IC-Hersteller Cambridge GaN Devices

IC-Hersteller (103)

Cambridge GaN Devices CGD65D025SH3 | Demoboard CGD-ASY-EVB030FA-01

CGD65D025SH3

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1

Beschreibung

The HF board includes the ICeGaN, the half-bridge gate driver IC, current transformers, and the heatsink which is mounted on the top side of the ICeGaN.

Eigenschaften

The PCB thickness of this HF daughterboard is 1.6 mm, with 2 oz copper thickness. A thinner PCB is not recommended asit could bend, leading to poor thermal connection hence an increase in the operating temperature of the ICeGaN devices.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieCTol. CVR
(V (DC))
BauformBetriebstemperaturQ
(%)
DF
(%)
RISOKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungZ @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(Ω)
TypL
(µH)
nIR
(mA)
∫Udt
(µVs)
VT
(V (AC))
RDC 1
(mΩ)
RDC 2
(Ω)
Muster
885012006057SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC)100 pF ±5% 50 0603 -55 °C up to +125 °C 100010 GΩ NP0 Klasse I 1.6 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel
885012206071SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC)100 nF ±10% 25 0603 -55 °C up to +125 °C 3.55 GΩ X7R Klasse II 1.6 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel
885012207072SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC)100 nF ±10% 25 0805 -55 °C up to +125 °C 3.55 GΩ X7R Klasse II 2 1.25 0.8 0.5 7" Tape & Reel
742792096SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit 0805 -55 °C up to +125 °C 2 1.2 0.9 0.5 1000 1000 100 MHz 1000 0.3 High Current 800
749251100SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CST Stromwandler 80 EE5 -40 °C up to +125 °C 7.7 6.9 5.33 2000 1:100 20000 50 500 0.75 5.5
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieCTol. CVR
(V (DC))
BauformBetriebstemperaturQ
(%)
DF
(%)
RISOKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungZ @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(Ω)
TypL
(µH)
nIR
(mA)
∫Udt
(µVs)
VT
(V (AC))
RDC 1
(mΩ)
RDC 2
(Ω)
Muster