IC-Hersteller Cambridge GaN Devices
IC-Hersteller (103)
- Alle Hersteller
Analog Devices
Infineon Technologies
Microchip
Onsemi
Renesas
ROHM
STMicroelectronics
Texas Instruments
- 3peak incorporated (28)
- Ablic (23)
- Acco Semiconductor (1)
- Advanced Power (4)
- Allegro Microsystems (100)
- Alpha & Omega Semiconductor (37)
- AnalogySemi (3)
- AnDAPT Inc (204)
- Anpec (13)
- AXElite (2)
- Backward (6)
- Bright Power Semiconductor (1)
- Broadcom (46)
- Cambridge GaN Devices (18)
- Chipanalog Micro (10)
- Cologne Chips (1)
- Convenient Power (1)
- Dialog Semiconductor (12)
- Diodes Incorporated (259)
- Divimath (8)
- Elmos AG (1)
- EPC (140)
- e-Peas Semiconductors (1)
- Eta Solutions Co. Ltd. (9)
- GaN Systems (8)
- GaNPower (3)
- Giantec (1)
- Gstek Wuxi (1)
- Helix Semiconductor (7)
- IKON (1)
- Indie Semiconductor (8)
- Innovision Semiconductor Inc (2)
- Intel (68)
- Inventchip Technology (3)
- ISSI (51)
- JoulWatt (20)
- KDPOF (3)
- Kinetic Technology (8)
- Lattice semiconductor Corporation (38)
- Littelfuse (1)
- Lumissil Microsystems (8)
- M3 Technology (M3Tek) (7)
- Macnica (22)
- Marvell Semiconductor (1)
- MaxLinear (181)
- Menlo Micro (1)
- MikroE (25)
- MindCet (2)
- Monolithic Power Systems (980)
- Navitas Semiconductor Inc (6)
- NewEdge Technologies, Inc. (1)
- Nexperia (267)
- Nisshinbo Micro Device Inc. (10)
- Novosense Micro (1)
- NXP (337)
- O2 Micro International Ltd (10)
- On Bright (7)
- Panasonic (2)
- PN Junction Semiconductor (2)
- Power Integrations (117)
- Powermat (1)
- Pulsiv (19)
- Qorvo (97)
- Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics (1)
- Richtek (297)
- Sanken Electric Co., Ltd. (16)
- Sckipio (6)
- Semtech (86)
- SG-Micro (58)
- SiFive (2)
- Silanna Semiconductor (9)
- Silergy Corporation (33)
- Silicon Laboratory Inc. (108)
- Silicontent Technology (59)
- Silvertel (59)
- Skycore Semiconductors (1)
- Skyworks (33)
- Southchip (14)
- Summit Wireless (1)
- Tagore Tech (7)
- Taiwan Semiconductor (1)
- TDK Corporation (1)
- Tempo Semiconductor (1)
- Torex (37)
- Toshiba (25)
- Transphorm (21)
- TransSIP (2)
- Union (21)
- uPI Semiconductor (2)
- Valens Semiconductor (31)
- Wise Integration (3)
- Wolfspeed (23)
- Xilinx (22)
- XL Semiconductor (3)
- XYSemi (62)
Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 1 |
Beschreibung
The HF board includes the ICeGaN, the half-bridge gate driver IC, current transformers, and the heatsink which is mounted on the top side of the ICeGaN.
Eigenschaften
The PCB thickness of this HF daughterboard is 1.6 mm, with 2 oz copper thickness. A thinner PCB is not recommended asit could bend, leading to poor thermal connection hence an increase in the operating temperature of the ICeGaN devices.
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | Q(%) | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(Ω) | Typ | L(µH) | n | IR(mA) | ∫Udt(µVs) | VT(V (AC)) | RDC 1(mΩ) | RDC 2(Ω) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 100 pF, ±5% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC) | Kapazität100 pF | Kapazität±5% | Nennspannung50 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Güte1000 % | – | Isolationswiderstand10 GΩ | KeramiktypNP0 Klasse I | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 100 nF, ±10% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC) | Kapazität100 nF | Kapazität±10% | Nennspannung25 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | Verlustfaktor3.5 % | Isolationswiderstand5 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 100 nF, ±10% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC) | Kapazität100 nF | Kapazität±10% | Nennspannung25 V (DC) | Bauform0805 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | Verlustfaktor3.5 % | Isolationswiderstand5 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge2 mm | Breite1.25 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.5 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
 | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | Bauform0805 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.2 mm | Höhe0.9 mm | Pad Dimension0.5 mm | – | Impedanz @ 100 MHz1000 Ω | Maximale Impedanz1000 Ω | Maximale Impedanz100 MHz | Nennstrom 21000 mA | Gleichstromwiderstand0.3 Ω | TypHochstrom | – | – | Nennstrom800 mA | – | – | – | – | ||||
 | WE-CST Stromwandler, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CST Stromwandler | – | – | Nennspannung80 V (DC) | BauformEE5 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | Länge7.7 mm | Breite6.9 mm | Höhe5.33 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität2000 µH | Übersetzungsverhältnis1:100 | Nennstrom20000 mA | Spannung-µSekunde50 µVs | Prüfspannung500 V (AC) | Gleichstromwiderstand 10.75 mΩ | Gleichstromwiderstand 25.5 Ω |