| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4-135 V |
| Schaltfrequenz | 100-2500 kHz |
| Ausgang 1 | 135 V / 20 A |
The LTC®7897 is a high performance, 100% duty cycle capable, synchronous step-down, DC/DC switching regulator controller that drives all N-channel synchronous silicon metal oxide field effect transistor (MOSFET) power stages. Synchronous rectification increases efficiency, reduces power loss, and simplifies the application design by reducing thermal requirements.
Wide VIN Range: 4V to 135V (140V ABS MAX)Wide Output Voltage Range: 0.8V ≤ VOUT ≤ 135V (140V ABS MAX)Adjustable Gate Drive Level: 5V to 10V (OPTI-DRIVE, 15V ABS MAX)Adjustable Driver Voltage UVLOAdaptive or Resistor Adjustable Dead TimesSplit-Output Gate Drivers for Adjustable Turn-On and Turn-Off Driver Strengths100% Duty Cycle OperationLow Operating IQ: 5μA (48V<IN to 3.3VOUT)Spread Spectrum Frequency ModulationProgrammable Frequency (100kHz to 2.5MHz);Synchronizable Frequency (100kHz to 2.5MHz);28-Pin (4mm x 5mm) QFN Package
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Drahttype | C | VR(V (DC)) | Endurance(h) | IRIPPLE(mA) | ILeak(µA) | DF(%) | Raster(mm) | Ø D(mm) | L(mm) | Verpackung | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 34.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 170 A | Sättigungsstrom @ 30%78 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | DrahttypeFlach | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge27 mm | – | ||||
![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, 23.35 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität5.5 µH | Performance Nennstrom23.35 A | Sättigungsstrom 130 A | Sättigungsstrom @ 30%33 A | Gleichstromwiderstand4.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21 MHz | DrahttypeFlach | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge20.8 mm | – | ||||
![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 7 µH, 19.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7 µH | Performance Nennstrom19.5 A | Sättigungsstrom 127 A | Sättigungsstrom @ 30%30 A | Gleichstromwiderstand6.17 mΩ | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | DrahttypeFlach | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge20.8 mm | – | ||||
![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 34.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 132.6 A | Sättigungsstrom @ 30%37 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | DrahttypeFlach | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge27 mm | – | ||||
![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 15.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom15.4 A | Sättigungsstrom 119 A | Sättigungsstrom @ 30%21 A | Gleichstromwiderstand9.57 mΩ | Eigenresonanzfrequenz12.8 MHz | DrahttypeFlach | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge20.8 mm | – | ||||
![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 22 µH, 34.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 115.5 A | Sättigungsstrom @ 30%18 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9 MHz | DrahttypeFlach | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge27 mm | – | ||||
![]() | WCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität47 µF | Nennspannung200 V (DC) | Endurance 10000 | Rippelstrom980 mA | Leckstrom476 µA | Verlustfaktor15 % | Raster5 mm | Durchmesser13 mm | Länge20 mm | VerpackungAmmopack |