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IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (104)

ReferenzdesignLTC7897

Analog Devices LTC7897

140V, Low IQ, Synchronous Buck Controller with Programmable 5V to 10V Gate Drive

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4-135 V
Schaltfrequenz100-2500 kHz
Ausgang 1135 V / 20 A

Beschreibung

The LTC®7897 is a high performance, 100% duty cycle capable, synchronous step-down, DC/DC switching regulator controller that drives all N-channel synchronous silicon metal oxide field effect transistor (MOSFET) power stages. Synchronous rectification increases efficiency, reduces power loss, and simplifies the application design by reducing thermal requirements.

Eigenschaften

  • Wide VIN Range: 4V to 135V (140V ABS MAX)
  • Wide Output Voltage Range: 0.8V ≤ VOUT ≤ 135V (140V ABS MAX)
  • Adjustable Gate Drive Level: 5V to 10V (OPTI-DRIVE, 15V ABS MAX)
  • Adjustable Driver Voltage UVLO
  • Adaptive or Resistor Adjustable Dead Times
  • Split-Output Gate Drivers for Adjustable Turn-On and Turn-Off Driver Strengths
  • 100% Duty Cycle Operation
  • Low Operating IQ: 5μA (48V<IN to 3.3VOUT)
  • Spread Spectrum Frequency Modulation
  • Programmable Frequency (100kHz to 2.5MHz);
  • Synchronizable Frequency (100kHz to 2.5MHz);
  • 28-Pin (4mm x 5mm) QFN Package

Typische Anwendungen

  • Industrial Power Systems
  • Military/Avionics
  • Telecommunications Power Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Drahttype
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Raster(mm)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443640470
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 34.95 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 170 A
Sättigungsstrom @ 30%78 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
DrahttypeFlach 
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Länge27 mm
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–Verfügbarkeit prüfen
7443630550
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, 23.35 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität5.5 µH
Performance Nennstrom23.35 A
Sättigungsstrom 130 A
Sättigungsstrom @ 30%33 A
Gleichstromwiderstand4.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
DrahttypeFlach 
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–
Länge20.8 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443630700
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 7 µH, 19.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität7 µH
Performance Nennstrom19.5 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%30 A
Gleichstromwiderstand6.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
DrahttypeFlach 
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–
Länge20.8 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443641000
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 34.95 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 132.6 A
Sättigungsstrom @ 30%37 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
DrahttypeFlach 
–
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–
Länge27 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443631500
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 15.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom15.4 A
Sättigungsstrom 119 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Gleichstromwiderstand9.57 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12.8 MHz
DrahttypeFlach 
–
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Länge20.8 mm
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–Verfügbarkeit prüfen
7443642200
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 22 µH, 34.95 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 115.5 A
Sättigungsstrom @ 30%18 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
DrahttypeFlach 
–
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Länge27 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
860241078002
SPECWCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren
–
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–
–
Kapazität47 µF
Nennspannung200 V (DC)
Endurance 10000
Rippelstrom980 mA
Leckstrom476 µA
Verlustfaktor15 %
Raster5 mm
Durchmesser13 mm
Länge20 mm
VerpackungAmmopack 
–Verfügbarkeit prüfen