IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC7897

140V, Low IQ, Synchronous Buck Controller with Programmable 5V to 10V Gate Drive

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4-135 V
Schaltfrequenz100-2500 kHz
Ausgang 1135 V / 20 A

Beschreibung

The LTC®7897 is a high performance, 100% duty cycle capable, synchronous step-down, DC/DC switching regulator controller that drives all N-channel synchronous silicon metal oxide field effect transistor (MOSFET) power stages. Synchronous rectification increases efficiency, reduces power loss, and simplifies the application design by reducing thermal requirements.

Eigenschaften

Wide VIN Range: 4V to 135V (140V ABS MAX)Wide Output Voltage Range: 0.8V ≤ VOUT ≤ 135V (140V ABS MAX)Adjustable Gate Drive Level: 5V to 10V (OPTI-DRIVE, 15V ABS MAX)Adjustable Driver Voltage UVLOAdaptive or Resistor Adjustable Dead TimesSplit-Output Gate Drivers for Adjustable Turn-On and Turn-Off Driver Strengths100% Duty Cycle OperationLow Operating IQ: 5μA (48V<IN to 3.3VOUT)Spread Spectrum Frequency ModulationProgrammable Frequency (100kHz to 2.5MHz);Synchronizable Frequency (100kHz to 2.5MHz);28-Pin (4mm x 5mm) QFN Package

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Drahttype
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Raster(mm)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
Muster
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 34.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 170 A
Sättigungsstrom @ 30%78 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
DrahttypeFlach 
Länge27 mm
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, 23.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.5 µH
Performance Nennstrom23.35 A
Sättigungsstrom 130 A
Sättigungsstrom @ 30%33 A
Gleichstromwiderstand4.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
DrahttypeFlach 
Länge20.8 mm
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 7 µH, 19.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7 µH
Performance Nennstrom19.5 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%30 A
Gleichstromwiderstand6.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
DrahttypeFlach 
Länge20.8 mm
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 34.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 132.6 A
Sättigungsstrom @ 30%37 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
DrahttypeFlach 
Länge27 mm
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 15.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom15.4 A
Sättigungsstrom 119 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Gleichstromwiderstand9.57 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12.8 MHz
DrahttypeFlach 
Länge20.8 mm
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 22 µH, 34.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 115.5 A
Sättigungsstrom @ 30%18 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
DrahttypeFlach 
Länge27 mm
WCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität47 µF
Nennspannung200 V (DC)
Endurance 10000
Rippelstrom980 mA
Leckstrom476 µA
Verlustfaktor15 %
Raster5 mm
Durchmesser13 mm
Länge20 mm
VerpackungAmmopack