Topologie | Aufwärtswandler |
Eingangsspannung | 8-36 V |
Schaltfrequenz | 100-3000 kHz |
Ausgang 1 | 48.3 V / 18 A |
The evaluation circuit EVAL-LTC7893-AZ is a single output synchronous step-up converter that drives GaN field effect transistors (FETs). The EVAL-LTC7893-AZ evaluation board features 100V GaN FETs.The EVAL-LTC7893-AZ features the LTC®7893: a low quiescent current, high frequency (programmable fixed frequency from 100kHz up to 3MHz), step-up DC/DC synchronous controller, with a dedicated driver feature for GaN FETs, which can also be used to drive logic-level silicon FETs.The EVAL-LTC7893-AZ operates over an input voltage range from 8V to 36V and produces a 48V output with load current up to 18A (without heatsink). A mode selector allows the EVAL-LTC7893-AZ to operate in forced continuous operation, pulse-skipping or Burst Mode® operation during light loads. The EVAL-LTC7893-AZ is set to 500kHz switching frequency, which results in a small and efficient circuit.
GaN Drive Technology Fully Optimized for GaN FETsOutput Voltage Up to 100VWide VIN Range: 4V to 60V and Operates Down to 1V after Start-UpNo Catch, Clamp, or Bootstrap Diodes NeededInternal Smart Bootstrap Switches Prevent Overcharging of High-Side Driver SupplyResistor-Adjustable Dead TimesSplit-Output Gate Drivers for Adjustable Turn On and Turn Off Driver StrengthsAccurate Adjustable Driver Voltage and UVLOLow Operating IQ: 15μAProgrammable Frequency (100kHz to 3MHz)Synchronizable Frequency (100kHz to 3MHz)Spread Spectrum Frequency Modulation28-Lead (4mm × 5mm), Side Wettable, QFN PackageAEC-Q100 Qualified for Automotive Applications
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT,10% (A) | ISAT,30% (A) | RDC max. (mΩ) | fres (MHz) | Drahttype | L (mm) | Ti | Ø OD (mm) | Ø ID (mm) | VPE | Pins (pcs) | Reihen | H (mm) | Gender | Typ | IR (A) | Verpackung | Muster | |
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![]() | 7443630310 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 9 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | 3.1 | 33.15 | 41 | 45 | 2.3 | 29 | Flach | 20.8 | – | – | – | 100 | 2 | – | 13.5 | – | – | 26 | – | ||
![]() | 9774010243R | SPEC | – | 6 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WA-SMSI SMT Stahl Spacer mit Innengewinde M2 | – | – | – | – | – | – | – | 1 | M2 | 4.35 | 2.8 | 1500 | – | – | – | – | – | – | Tape and Reel | |
![]() | 62000621121 | SPEC | – | 6 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WR-PHD 2.00 mm THT Dual Pin Header | – | – | – | – | – | – | – | 6 | – | – | – | 1000 | 6 | Dual | – | Pin Header | Gerade | 2 | Beutel |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
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![]() | 7443630310 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | |
![]() | 9774010243R | SPEC | – |
![]() | 62000621121 | SPEC | – |
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT,10% (A) | ISAT,30% (A) | RDC max. (mΩ) | fres (MHz) | Drahttype | L (mm) | Ti | Ø OD (mm) | Ø ID (mm) | VPE | Pins (pcs) | Reihen | H (mm) | Gender | Typ | IR (A) | Verpackung | Muster |
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