IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC7817

Triple Output Buck/Buck/Boost Synchronous Controller

Details

TopologieAbwärts- und Aufwärtswandler
Eingangsspannung1-38 V
Schaltfrequenz100-3000 kHz
Ausgang 116 V / 8 A
Ausgang 238 V
Ausgang 35 V / 5 A

Beschreibung

The LTCR7817 is a high performance triple output (buck/ buck/boost) synchronous DC/DC switching regulator controller that drives all N-channel power MOSFET stages. Its constant frequency current mode architecture allows a phase-lockable switching frequency of up to 3MHz. The LTC7817 operates from a wide 4.5V to 40V input supply range. When biased from the output of the boost converter or another auxiliary supply, the LTC7817 can operate from an input supply as low as 1V after start-up. The very low no-load quiescent current extends operating run time in battery powered systems. OPTI-LOOPR compensation allows the transient response to be optimized over a wide range of output capacitance and ESR values. The LTC7817 features a precision 0.8V reference for the bucks, 1.2V reference for the boost and a power good output indicator.

Eigenschaften

  • Dual Buck Plus Single Boost Synchronous Controllers
  • Low Operating IQ: 14μA (14V to 3.3V, Channel 1 On)
  • Outputs Remain in Regulation Through Cold Crank Down to 1V Input Supply Voltage
  • Wide Bias Input Voltage Range: 4.5V to 40V
  • Buck and Boost Output Voltages up to 40V
  • RSENSE or DCR Current Sensing
  • Pass-Thru™ Operation: 100% Duty Cycle for Boost Synchronous MOSFET
  • Programmable Fixed Frequency (100kHz to 3MHz)
  • Phase-Lockable Frequency (100kHz to 3MHz)
  • Selectable Continuous, Pulse-Skipping, or Low Ripple Burst Mode Operation at Light Loads
  • Very Low Buck Dropout Operation: 99% Duty Cycle
  • Low Shutdown IQ: 1.5μA
  • Small 38-Lead 5mm × 7mm QFN Package
  • AEC-Q100 Automotive Qualification in Process

Typische Anwendungen

  • Military/Avionics
  • Industrial
  • Automotive and Transportation

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
RDC max.(mΩ)
LR(µH)
RDC typ.(mΩ)
Montageart
Muster
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 130.6 A
Sättigungsstrom @ 30%33.5 A
Eigenresonanzfrequenz96 MHz
MaterialFerrite 
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
Nenninduktivität0.9 µH
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand6.49 mΩ
Nenninduktivität2.4 µH
MontageartSMT 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 24.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom24.95 A
Sättigungsstrom 115.6 A
Sättigungsstrom @ 30%34 A
Gleichstromwiderstand3.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
Gleichstromwiderstand3.74 mΩ
Gleichstromwiderstand3.4 mΩ
MontageartSMT