| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 8-40 V |
| Schaltfrequenz | 320-2250 kHz |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 10 A |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Drahttype | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 27 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.2 µH | Performance Nennstrom27 A | Sättigungsstrom 134 A | Sättigungsstrom @ 30%38 A | Gleichstromwiderstand3.34 mΩ | Eigenresonanzfrequenz24 MHz | DrahttypeFlach |