IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC3124

15V, 5A 2-Phase Synchronous Step-Up DC/DC Converter with Output Disconnect

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung1.8-5.5 V
Schaltfrequenz100-3000 kHz
Ausgang 115 V / 5 A

Beschreibung

The LTC®3124 is a dual-phase, synchronous step-up DC/ DC converter with true output disconnect and inrush current limiting capable of providing output voltages up to 15V. Dual-phase operation significantly reduces peakinductor and capacitor ripple currents, minimizing inductor and capacitor size. The 2.5A per phase current limit, along with the ability to program output voltages up to 15V make the LTC3124 well suited for a variety of demanding applications. Once started, operation will continue withinputs down to 500mV.The LTC3124 switching frequency can be programmed from 100kHz to 3MHz to optimize applications for highest efficiency or smallest solution footprint. The oscillator can be synchronized to an external clock for noise sensitiveapplications. Selectable Burst Mode operation reduces quiescent current to 25μA, ensuring high efficiency across the entire load range. An internal soft-start limits inrush current during start-up. Other features include a <1μA shutdown current and robust protection under short-circuit, thermal overload, and output overvoltage conditions. The LTC3124 is offered in both16-lead DFN and thermally-enhanced TSSOP packages.

Eigenschaften

  • VIN Range: 1.8V to 5.5V, 500mV After Start-Up
  • Adjustable Output Voltage: 2.5V to 15V
  • 1.5A Output Current for VIN = 5V and VOUT = 12V
  • Dual-Phase Control Reduces Output Voltage Ripple
  • Output Disconnects from Input When Shut Down
  • Synchronous Rectification: Up to 95% Efficiency
  • Inrush Current Limit
  • Up to 3MHz Programmable Switching FrequencySynchronizable to External Clock
  • Selectable Burst Mode® Operation: 25μA IQ
  • Output Overvoltage Protection
  • Internal Soft-Start
  • <1μA IQ in Shutdown
  • 16-Lead, Thermally- Enhanced 3mm × 5mm ×0.75mm DFN and TSSOP Packages

Typische Anwendungen

  • Small DC Motors, Thermal Printers
  • RF, Microwave Power Amplifiers
  • Piezo Actuators
  • 12V Analog Rail from Battery, 5V, or Backup Capacitor

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
Montageart
IR,40K(A)
Muster
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom6.2 A
Gleichstromwiderstand27 mΩ
Eigenresonanzfrequenz89 MHz
Bauform4020 
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12.5 A
MontageartSMT 
Nennstrom5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom5.6 A
Gleichstromwiderstand23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 14.8 A
Sättigungsstrom @ 30%6 A
MontageartSMT 
Nennstrom4.02 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.2 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform7345 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%7.4 A
MontageartSMT 
Nennstrom4.2 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom @ 30%5.1 A
MontageartSMT 
Nennstrom3.42 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom4.2 A
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 13.9 A
Sättigungsstrom @ 30%5.3 A
MontageartSMT 
Nennstrom2.9 A
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand17.93 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
Bauform1050 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 14 A
Sättigungsstrom @ 30%8.5 A
Gleichstromwiderstand16.3 mΩ
MaterialSuperflux 
MontageartSMT 
WE-PD Speicherdrossel, 22 µH, 5.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom5.8 A
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
MontageartSMT 
Nennstrom4.6 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom4.7 A
Gleichstromwiderstand53 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz
Bauform1280 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.9 A
Sättigungsstrom @ 30%5.05 A
MontageartSMT 
Nennstrom3.6 A
WE-PD Speicherdrossel, 47 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6.5 MHz
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.5 A
MontageartSMT 
Nennstrom3.8 A