IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LT8418 | Demoboard EVAL-LT8418-AZ

100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung80 V
Schaltfrequenz100-10000 kHz
Ausgang 180 V / 10 A

Beschreibung

The EVAL-LT8418-AZ evaluation circuit features the LT8418 driving two 100V enhanced Gallium Nitride (eGaN) FETs in a half-bridge configuration. The circuit is optimized as a buck converter, but it can be used as a boost converter or other converter topologies consisting of a half-bridge. The evaluation circuit can deliver up to 10A with good thermal management.

Eigenschaften

  • Half-Bridge Gate Driver for GaN FETs
  • 0.6Ω Pull-Up Resistance at Top Gate Driver
  • 0.2Ω Pull-Down Resistance at Bottom Gate Driver
  • 4A Peak Source, 8A Peak Sink Current Capability
  • Smart Integrated Bootstrap Switch
  • Split-Gate-Driver to Adjust Turn-On/Turn-Off Strength
  • Default Low-State for All Driver Inputs and Outputs
  • Maximum 15V Voltage Rating at INT and INB Inputs
  • Independent INT, INB Inputs with TTL Logic Compatible
  • Fast Propagation Delay: 10ns (Typical)
  • Propagation Delay Matching: 1.5ns (Typical)
  • Balanced Driver Supply Voltage: VBST ≈ VCC = 3.85V – 5.5V
  • Undervoltage and Overvoltage Lockout Protections
  • Small 12-Ball WLCSP Package

Typische Anwendungen

  • Consumer
  • Data Center Power Supplies
  • High Frequency DC-DC Switching Power Converters, Motor Drivers, Class-D Audio Amplifiers, Half-Bridge, Full-Bridge, Push-Pull Converters
  • Automotive

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
DF(%)
RISO
Keramiktyp
B(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Ti
Ø OD(mm)
Ø ID(mm)
VPE
κ(W/(m*K))
Pins
Typ
Montageart
L(mm)
H(mm)
IR(A)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0603 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Verpackungseinheit4000 
Länge1.6 mm
Höhe0.8 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WA-SMSI SMT Stahl Spacer mit Innengewinde M2.5, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VerpackungTape and Reel 
InnengewindeM2.5 
Außendurchmesser5.1 mm
Innendurchmesser3.5 mm
Verpackungseinheit1500 
Länge1 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C
WR-PHD Kurzschlussbrücken, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungBeutel 
Verpackungseinheit1000 
Pins
Nennstrom3 A
Arbeitsspannung200 V (AC)
Betriebstemperatur -25 °C up to +105 °C
WR-PHD Stiftleisten, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungBeutel 
Verpackungseinheit1000 
Pins
TypGerade 
MontageartTHT 
Länge6 mm
Nennstrom2 A
Arbeitsspannung200 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
WE-TGS Graphitfolie, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Breite100 mm
Wärmeleitfähigkeit1800 W/(m*K)
Länge100 mm
Höhe0.037 mm
Betriebstemperatur -50 °C up to +120 °C