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IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignLT7809

Analog Devices LT7809

135V Synchronous Buck Controller with Symmetrical Sink/Source Capability and Dynamically Adjustable Output Voltage Programming

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung8-135 V
Schaltfrequenz100-2500 kHz
IC-RevisionA

Beschreibung

The LT7809 is a high-performance, step-down, DC/DC switching regulator controller that drives a N-channel synchronous silicon metal oxide semiconductor fieldeffect transistor (MOSFET) stage and can operate voltages up to 135V. Its constant frequency current mode architecture allows a phase-lockable switching frequency of up to 2.5MHz. The gate drive voltage for the LT7809 is 10V to drive standard-threshold MOSFETs to maximize efficiency. An internal charge pump allows for 100% duty cycle operation. OPTI-LOOP® compensation allows the transient response to be optimized over a wide range of output capacitance and ESR values. The LT7809 features a precision 0.8V reference, enabling the output voltage to be statically programmed from 0.8V to 135V. An output voltage adjustment pin, combined with the LT7809’s symmetrical sink and source current capability, allows the output voltage to be dynamically slewed up or down.

Eigenschaften

Wide Input Voltage (VIN - VSS) Range:8.0V to 135V (140V ABS MAX) Wide Output Voltage Range: 0.8V ≤ VOUT ≤ 135V (140VABS MAX) Dynamically Adjustable VOUT Programming Symmetrical Sink and Source Current Capability forFast VOUT Slewing Up or Down Split-Output Gate Drivers for Adjustable Turn-Onand Turn-Off Driver Strengths and Small DeadTimes (35ns) Floating I/O Control Pins Referenced to System GND 100% Duty Cycle Operation Programmable or Synchronizable Frequency(100kHz to 2.5MHz) 32-Pin (5mm x 5mm) QFN Package

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Drahttype
IR(A)
ISAT(A)
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Raster(mm)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443631500
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 15.4 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom15.4 A
Sättigungsstrom 119 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Gleichstromwiderstand9.57 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12.8 MHz
DrahttypeFlach 
Nennstrom14 A
Sättigungsstrom21 A
–
–
–
–
–
–
–
–
Länge20.8 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
7687714471
SPECWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage)
Induktivität470 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand1450 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.7 MHz
–
Nennstrom0.6 A
Sättigungsstrom0.8 A
–
–
–
–
–
–
–
–
Länge10 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
860241078002
SPECWCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Kapazität47 µF
Nennspannung200 V (DC)
Endurance 10000
Rippelstrom980 mA
Leckstrom476 µA
Verlustfaktor15 %
Raster5 mm
Durchmesser13 mm
Länge20 mm
VerpackungAmmopack 
–Verfügbarkeit prüfen