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Analog Devices LT4276 | Demoboard DC2262A-A
LT4276, LT4321 PoE with Synchronous Forward and Ideal Diode Bridge
Details
| Topologie | Eintaktflusswandler |
| Eingangsspannung | 37-57 V |
| Ausgang 1 | 5 V / 13 A |
| IC-Revision | A |
Beschreibung
Demonstration circuit 2262 is a PoE Powered Device (PD) with a synchronous forward isolated power supply featuring the LT®4276 and an ideal diode bridge controller (LT4321).The LT4276 provides IEEE802.3af (PoE, Type 1), IEEE802.3at (PoE+, Type 2), and LTPoE++ PD interfacing and power supply control. When the PD is connected to a PSE, the LT4276 turns on an external, low-resistance, high-power N-channel Hot Swap™ FET. The LT4276 controls a high-power, small-sized power supply that utilizes a highly efficient, synchronously rectified, active clamp forward topology. The LT4321 provides further efficiency improvement by minimizing bridge losses.
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | VPE | Version | Vin | VOut1(V) | IOut1(A) | Vaux(V) | n | Bauform | IR 1(A) | L1(mH) | RDC1 max.(Ω) | VR(V (AC)) | VT(V (DC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 8.3 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.9 µH | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | Verpackungseinheit1000 | VersionSMT | – | – | – | – | – | Bauform7050 | – | – | – | – | – | MaterialSuperflux | Länge7 mm | Breite6.9 mm | Höhe4.8 mm | MontageartSMT | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, 175 µH, – | Simulation– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität175 µH | – | – | – | – | – | – | VersionForward | Input Voltage 40 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V | Ausgangsstrom 117 A | Hilfsspannung10.75 V | Übersetzungsverhältnis3.5:1:2.25 | BauformEFD20 | – | – | – | – | Prüfspannung2400 V (DC) | – | Länge23.11 mm | Breite29.08 mm | Höhe11.43 mm | MontageartSMT | –Verfügbarkeit prüfen | |||
749022016 | SPEC10/100/1000 Base-T SMT Transformer, 350 µH, – | Verfügbarkeit – | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie 10/100/1000 Base-T SMT Transformer | Induktivität350 µH | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Prüfspannung1500 V (DC) | – | Länge18.16 mm | Breite16 mm | Höhe10.16 mm | MontageartSMT | –Verfügbarkeit prüfen | ||
 | SPECWE-LF SMD Stromkompensierte Netzdrossel in SMT, 2200 µH, – | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LF SMD Stromkompensierte Netzdrossel in SMT | Induktivität2200 µH | – | – | – | – | – | Verpackungseinheit200 | VersionSMT | – | – | – | – | – | BauformSH | Nennstrom [1]2.75 A | Induktivität [1]2.2 mH | Gleichstromwiderstand [1]0.1 Ω | Nennspannung250 V (AC) | Prüfspannung1500 V (DC) | MaterialMnZn | Länge23.3 mm | Breite18.5 mm | Höhe11.5 mm | – | –Verfügbarkeit prüfen |
Verfügbarkeitsprognose
WE Artikelnummer VerpackungseinheitenWiederbeschaffungszeit
––– Wochen
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
|---|---|---|
| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |
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