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ReferenzdesignEVAL-LTC7892-BZ | Demoboard EVAL-LTC7892-BZ

Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ | Demoboard EVAL-LTC7892-BZ

High Frequency Step-Up Controller with 100V GaN FETs

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung9-36 V
Ausgang 148 V / 20 A

Beschreibung

Evaluation circuit EVAL-LTC7892-BZ features the LTC®7892. The LTC7892 is a 100V step-up synchronous Gallium Nitride (GaN) field effect transistor (FET) controller optimized in this application with 100V GaN FETs for an operational 9V–36V input range at 500kHz. The EVAL-LTC7892-BZ is specifically designed to drive GaN FETs safely and easily up to 1.4kW power levels through internally optimized bootstrap switches and adaptive time control. Split gate drivers allow for easily adjustable turn-on and turn-off of FETs. Additionally, the IC features low IQ, up to 3MHz programmable/synchronizable switching frequency, spread spectrum, and a small 40-lead (6mm x 6mm) side wettable QFN package. These features allow various applications, including industrial, military, medical, and telecommunications systems.The EVAL-LTC7892-BZ operates from a 9V–36V input voltage range and generates a maximum 48V, 30A output. The LTC7892 has a precision voltage reference that can generate an output voltage with 2% tolerance over the full operating conditions. The EVAL-LTC7892-BZ is set to a 500kHz switching frequency, which results in a small and efficient circuit. The converter achieves over 98% efficiency with 30A load at full operating VIN, with a peak efficiency near 99%.

Eigenschaften

GaN Drive Technology fully Optimized for GaN FETsOutput Voltage up to 100VWide VIN Range: 4V to 60V and Operates Down to 1V After Start-UpNo Catch, Clamp, or Bootstrap Diodes NeededInternal Smart Bootstrap Switches Prevent Overcharging of High-Side Driver SuppliesResistor Adjustable Dead TimesSplit Output Gate Drivers for Adjustable Turn-On and Turn-Off Driver StrengthsAccurate Adjustable Driver Voltage and UVLOLow Operating IQ: 15μAProgrammable Frequency (100kHz to 3MHz)Synchronizable Frequency (100kHz to 3MHz)Spread Spectrum Frequency Modulation40-Lead (6mm × 6mm), Side Wettable, QFN PackageAEC-Q100 Qualified for Automotive Applications

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Von Analog Devices freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Downloads
Status
Produktserie
L(mm)
Ti
Ø OD(mm)
Ø ID(mm)
Verpackung
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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9774010243R
SPECWA-SMSI SMT Stahl Spacer mit Innengewinde M2, 1 mm, M2
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWA-SMSI SMT Stahl Spacer mit Innengewinde M2
Länge1 mm
InnengewindeM2 
Außendurchmesser4.35 mm
Innendurchmesser2.8 mm
VerpackungTape and Reel 
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen

Zusätzlich von Würth Elektronik empfohlene Bauteile

Empfohlene Bauteile sind Alternativen von Würth Elektronik, die nicht offiziell vom IC-Hersteller für dieses Referenzdesign freigegeben sind. Bitte prüfen Sie, ob sie für Ihre Anwendung geeignet sind, und wenden Sie sich an uns, wenn Sie Fragen haben.

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Drahttype
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443630310
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.1 µH, 33.15 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.1 µH
Performance Nennstrom33.15 A
Sättigungsstrom 141 A
Sättigungsstrom @ 30%45 A
Gleichstromwiderstand2.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz29 MHz
DrahttypeFlach 
–Verfügbarkeit prüfen